Transistor di potenza del Mosfet
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Multi Functional Mosfet Power Transistor Halogen - Free Devices Available
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
Mosfet Power Transistor Description The Power MOSFET is a type of MOSFET. The operating principle of power MOSFET is similar to the general MOSFET. The power MOSFETS are very special to handle the high level of powers. It shows the high switching speed and by comparing with the normal MOSFET, the po... Visualizza di più
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Driver ad alta tensione originale Using Transistor del Mosfet del transistor di potenza del Mosfet
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:Transistor di potenza originale del Mosfet, Transistor di potenza ad alta tensione del Mosfet, Driver Using Transistor del Mosfet dello SGS
Original High Voltage Mosfet Transistor , Mosfet Driver Using Transistor High Voltage Mosfet Transistor Working and Characteristics The construction of the power MOSFET is in V-configurations, as we can see in the following figure. Thus the device is also called as the V-MOSFET or V-FET. The V- the ... Visualizza di più
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8H02ETS si raddoppiano tassa bassa del portone del transistor di potenza 20V del Mosfet di Manica di N
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:Transistor di potenza doppio del Mosfet di Manica di N, Transistor di potenza 20V del Mosfet, Tassa bassa del portone del transistor di potenza del Mosfet
20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION The 8H02ETSuses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A 8H02TS RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=3.1V RDS(ON) &l... Visualizza di più
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Low Gate Charge Mosfet Power Transistor For Inverter Systems Management
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
What is a Mosfet Power Transistor ? A power MOSFET is a special type of metal oxide semiconductor field effect transistor. It is specially designed to handle high-level powers. The power MOSFET’s are constructed in a V configuration. Therefore, it is also called as V-MOSFET, VFET. The symbols of N- ... Visualizza di più
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N Channel Mos Field Effect Transistor , High Power Transistor -30V/-80A
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
N Channel Mos Field Effect Transistor ,High Power Transistor -30V/-80A N Channel Mos Field Effect Transistor Description -30V/-80A R DS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) @V GS = -10V R DS(ON) = 6.2 mΩ (typ.) @V GS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available N Channel Mos Fiel... Visualizza di più
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Fast Switching Time Mos Field Effect Transistor , Power Switch Transistor
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
Mos Field Effect Transistor Description Mos Field Effect Transistor are used in many power supply and general power applications, especially as switches. Variant s include planar MOSFETs, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs and other different brand names. Mos Field Effect Transistor Feature N- Channel P ... Visualizza di più
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High Performance Mosfet Power Transistor With Extreme High Cell Density
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
Highest Performance Mosfet Power Transistor With Extreme High Cell Density Mosfet Power Transistor Feature Description It is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteri... Visualizza di più
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High Performance Mosfet Power Transistor With Extreme High Cell Density
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description The AOD240 uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Power losses are minimized due to an extremely low combination of R DS(ON) and C rss .In addition, switching behavior is well controlled with a ... Visualizza di più
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OEM High Frequency Switching Transistor , Power Switch Transistor -30V -70A
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description The AOD403/AOI403 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK/IPAK package, this device is well suited for high current load applications. Parameters Part Number Status ... Visualizza di più
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High Voltage Switching Mosfet Power Transistor With High Thermal Resistance
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description The AOD407 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. -RoHS Compliant -Halogen Free* Parameters ... Visualizza di più
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Durable High Speed Power Switching Transistor , Power Darlington Transistor
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description • Trench Power MV MOSFET technology • Low R DS(ON) • Low Gate Charge • Optimized for fast-switching applications Application Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Industrial and Motor Drive applications Parameters Part Number Status Package Polarity VDS (V) VGS (... Visualizza di più
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High Switching Speed Mosfet Power Transistor For Linear Power Supplies
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
High Switching Speed Mosfet Power Transistor For Linear Power Supplies General Description • Trench Power MOSFET technology • Low R DS(ON) • Logic Level Driving • RoHS and Halogen-Free Compliant Application • Industrial and Motor Drive applications Parameters Part Number Status Package Polarity VDS... Visualizza di più
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6.0A 20V SOP-8 Mosfet Power Transistor For Battery Protection
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiation
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: Hua Xuan Yang
Evidenziare:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description: The AP9926A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 20V ID = 6A RDS(ON) < 2... Visualizza di più
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MCU 32-Bit M3 LQFP-64 STM32F103RCT6 Applied to the printer control panel
Prezzo: Negotiable
MOQ: 960
Tempo di consegna: 5-15days
Marca: OTOMO
MCU 32-Bit M3 LQFP-64 STM32F103RCT6 Applied to the printer control panel32-Bit FLASH ARM® Cortex®-M3 72MHz 2V ~ 3.6V LQFP-64_10x10x05P ST Microelectronics RoHS Visualizza di più
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Tipo doppio rendimento elevato del transistor di potenza a corrente forte N del Mosfet
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:Transistor di potenza a corrente forte del Mosfet, Tipo doppio del transistor di potenza N del Mosfet, Rendimento elevato del transistor di potenza del Mosfet
HXY4812 0V Dual N-Channel MOSFET General Description The HXY4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted Electric... Visualizza di più
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corrente continua dello scolo di N-Manica doppio del transistor di potenza del Mosfet di 6.5A 30V
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:transistor di potenza del Mosfet 30V, transistor ad alta tensione 6.5A, Transistor di potenza del Mosfet della bobina
HXY4812 30V Dual N-Channel MOSFET General Description The HXY4822A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted Electr... Visualizza di più
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Commutatore del Mosfet di logica di HXY9926A, Manica doppio dell'interruttore di accensione ±1.2v VGS N del Mosfet
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:Commutatore del Mosfet di logica di HXY9926A, interruttore di accensione del Mosfet 20v, Interruttore di accensione del Mosfet dello SGS
HXY9926A 20V Dual N-Channel MOSFET General Description The HXY9926A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-direction... Visualizza di più
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RoHS si raddoppia MOSFETS del transistor di potenza SOT-23-6L del Mosfet di Manica di N 6,0 un VDSS
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:Transistor di potenza del Mosfet di RoHS, 6, 0 un commutatore a corrente forte del mosfet, transistor di potenza del Mosfet 8205A
8205A SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET General Description VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1,D2 5 G2 4 z RDS(on) < Ω@V = 4.5V 25m GS z RDS(on) < Ω@V = 2.5V 32m GS 1 2 3 S1 D1,D2 S2 FEATURE z TrenchFET Power MOSFET z Excellent RDS(on) z Low Gate Charge z High Power and C... Visualizza di più
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