Transistor di potenza del silicio
(3)Transistor di alto potere PNP del transistor di potenza del silicio dello SGS per i componenti elettronici
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:Transistor di potenza del silicio dello SGS, Componenti elettronici del transistor di alto potere PNP, transistor di potenza del silicio 160V
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURE Ÿ Switching and Amplification in High Voltage Ÿ Applications such as Telephony Ÿ Low Current Ÿ High Voltage ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 2N5401 TO-92 Bulk 1000pcs/Bag 2N5401-TA TO-92 Tape 2... Visualizza di più
➤ Visita Sito web
transistor di potenza del transistor di potenza NPN del silicio 600mA a corrente forte
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:transistor di potenza del silicio 600mA, Transistor di potenza del silicio a corrente forte, Transistor di potenza di NPN a corrente forte
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors A42 TRANSISTOR (NPN) FEATURE Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Breakdown Voltage Marking :D965A MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 310 V VCEO Collector-Emitter Voltage 305 V VEB... Visualizza di più
➤ Visita Sito web
perdita bassa del transistor a corrente forte del transistor di potenza del silicio 200v
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Evidenziare:transistor di potenza del silicio 200v, Perdita bassa del transistor di potenza del silicio, Perdita bassa del transistor a corrente forte
MMBD1501A LOW LEAKAGE DIODE SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes FEATURE Low Leakage High Conductance Marking :A11 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Typical Characterisitics Package Outline Dimensions Symbol Dimensions In ... Visualizza di più
➤ Visita Sito web