Freescale/NXP 3 Canale Capacitive Touch Controller Ic Con Interfaccia I2C MPR032EPR2
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Evidenziare:3 Channel capacitive touch controller ic, MPR032EPR2 capacitive touch controller ic
The MPR032EPR2,from Freescale / NXP,is Capacitive Touch Sensors.what we offer have competitive price in the global market,which are in original and new parts.If you would like to know more about the products or apply a lower price, please contact us through the “online chat” or send a quote to us! Visualizza di più
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NXP USA Inc. LDMOS 1.93GHz - 1.99GHz Transistor montati sul telaio con guadagno di 13dB
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RF Mosfet 26 V 850 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780H-2L Visualizza di più
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Frequenza 150 MHz NPN Transistor bipolare 80 mA Corrente massima 50V Collettore 100mW Panasonic SSSMini3-F1
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F1 Visualizza di più
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Discreto NPN Pre Biased Transistor 100mA 50V Surface Mount 200mW Potenza Panasonic MINI3-G3-B - Interrotto
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B Visualizza di più
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1000W LDMOS Power RF FET per montatura del telaio 110V 1,03GHz Dual Transistors NXP USA Inc.
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RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Visualizza di più
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Superficie Mount JFET Semiconductor 25V 15mA N Channel Discrete Components di NXP USA Inc.
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RF Mosfet SOT-23 (TO-236AB) Visualizza di più
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NXP USA Inc. Transistor PDTA144VM per applicazioni di tensione
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Visualizza di più
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150MHz NPN Transistor pre-biasato 50V Montaggio di superficie di rottura Panasonic SMini3-F2 Potenza 150mW
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Visualizza di più
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FET RF LDMOS 65V 23W 2.16-2.17GHz 13.5dB Guadagno - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.05 A 2.16GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780H-2L Visualizza di più
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Active Bulk NXP USA Inc. PDTA14 Transistor bipolare discreto
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Obsoleto NXP USA Inc. 120V Dual LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB Gain Chassis Mount Transistor
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RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H Visualizza di più
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Obsoleto NXP USA Inc. LDMOS Transistor 2.69GHz 15.6dB Guadagno 28W Uscita Montatura del telaio
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RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780H-2L Visualizza di più
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Componenti elettronici Panasonic obsoleti UNR511 PNP Pre Biased Transistor per frequenza di transizione 80MHz
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Visualizza di più
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Transistor obsoleti per applicazioni RF a 100 MHz
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RF Mosfet 15 V 100MHz TO-92-3 Visualizza di più
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Obsoleto NXP USA Inc. PNP Pre Biased Bipolar Transistor 50V Voltaggio di rottura 250mW Potenza SMT3 Surface Mount
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK Visualizza di più
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Obsoleto NXP USA Inc. PNP Pre Biased Transistor SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW Surface Mount Discrete
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75 Visualizza di più
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FET RF LDMOS di superficie 65V 24W Potenza di uscita 1.88GHz Frequenza doppia configurazione NXP NI-780S-4L
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RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L Visualizza di più
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FET RF LDMOS da 22 W Transistor con montaggio su chassis da 1,99 GHz - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L Visualizza di più
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NXP USA Inc. Transistor RF FET da 24 W LDMOS con montaggio su telaio 1,99 GHz 65 V
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RF Mosfet 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S Visualizza di più
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FET RF LDMOS 70V obsoleti 960MHz 65W 19.4dB Chassis Mount Semiconductor Transistors NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.6 A 960MHz 19.4dB 65W NI-780H-2L Visualizza di più
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