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China igbt transistor

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Cina Transistor IGBT bipolare, transistor di IRG4IBC30S 1.7V di Manica IGBT di TO-220 N in vendita

Transistor IGBT bipolare, transistor di IRG4IBC30S 1.7V di Manica IGBT di TO-220 N

Modulo di commutazione del transistor di IGBT Transistor bipolare isolato multiuso del portone Modulo del transistor del silicio IGBT

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: Infineon

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
ISO14001,ISO13485 Anno di fondazione:2008 Manufacturer
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Cina Moduli IGBT per autoveicoli FS50R12W2T7P Moduli IGBT 1200V Moduli transistoristici IGBT in vendita

Moduli IGBT per autoveicoli FS50R12W2T7P Moduli IGBT 1200V Moduli transistoristici IGBT

Moduli automobilistici 400A di IGBT Modulo di potere di FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt Modulo 1200V della polvere di IGBT

Prezzo: Contact for Sample

MOQ: 10

Tempo di consegna: 3-5 work days

Marca: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Distributore commerciale/grossista
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Cina Driver SCALETM-2 IGBT di Manica IGBT del DUA e transistor del centro IGBT del driver del MOSFET in vendita

Driver SCALETM-2 IGBT di Manica IGBT del DUA e transistor del centro IGBT del driver del MOSFET

circuito del driver del modulo del igbt Moduli della gestione di potere circuito del driver del portone del igbt

Prezzo: Negotiation

MOQ: 24PCS

Tempo di consegna: 1WEEK

Marca: Power Integrations

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Anno di fondazione:1998 Manufacturer
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Cina Manica ultraveloce del transistor N di IGBT, transistor bipolare isolato del portone con costruito in diodo in vendita

Manica ultraveloce del transistor N di IGBT, transistor bipolare isolato del portone con costruito in diodo

transistor bipolare isolato del portone diodo di commutazione ad alta velocità fototransistor del silicio del npn

Prezzo: Negotiate

MOQ: 10pcs

Tempo di consegna: 1-3Days

Marca: ON/Fairchild

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Certificate of ATFU Brand,Business License Anno di fondazione:2012 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Il transistor/potere di TO-247 90A 600V IGBT ha isolato il transistor bipolare del portone in vendita

Il transistor/potere di TO-247 90A 600V IGBT ha isolato il transistor bipolare del portone

transistor del mosfet del canale di n transistor ad alta tensione del mosfet transistor del mosfet dello smd

Prezzo: negotiable

MOQ: 5PCS

Tempo di consegna: 1-2 working days

Marca: IR/Thinkchip

G-Resource Electronics Co.,Ltd
iso9001,iso14001 Anno di fondazione:2009 Produttore
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Cina Modulo industriale dei transistor del modulo FS150R12KE3 IGBT di alto potere IGBT di Eupec in vendita

Modulo industriale dei transistor del modulo FS150R12KE3 IGBT di alto potere IGBT di Eupec

modulo di potenza intelligente igbt ad alta frequenza moduli del igbt di Fuji

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1pcs

Tempo di consegna: 0-2 days

Marca: Eupec

Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.
Anno di fondazione:2014 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Transistor di Manica IGBT del silicio N del transistor del Mosfet di potere di RJH60F7ADPK in vendita

Transistor di Manica IGBT del silicio N del transistor del Mosfet di potere di RJH60F7ADPK

transistor di potenza del silicio multi transistor dell'emettitore mosfet CI di potere

Prezzo: Negotiate

MOQ: 20pcs

Tempo di consegna: 1 day

Marca: Anterwell

Anterwell Technology Ltd.
CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Anno di fondazione:2004 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Forno di fusione IGBT transistor Shell d'acciaio Alta sicurezza Tempo di fusione breve in vendita

Forno di fusione IGBT transistor Shell d'acciaio Alta sicurezza Tempo di fusione breve

Forno a induzione di rame Forno a media frequenza Forno a conchiglia di acciaio

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: Huarui

Shandong Huarui Electric Furnace Co., Ltd.
GB/T19001-2016/ISO9001:2015,Patent Anno di fondazione:2011 Produttore
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Cina FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD in vendita

FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD

IS61C3216 AL Micron ISSI Samsung Il CI ha integrato il chip VFBGA-63 Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

Prezzo: $1.10/pieces 1-999 pieces

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: ORIGINAL

ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Authority certificate,ISO Anno di fondazione:2015 Manufacturer
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Cina Transistor multiuso IGBT ad alta potenza per OBC in vendita

Transistor multiuso IGBT ad alta potenza per OBC

IGBT industriali ad alta potenza IGBT ad alta frequenza stabile Pile di ricarica IGBT ultra veloce

Prezzo: Confirm price based on product

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: 2-30 days (Depends on Total Quantity)

Marca: REASUNOS

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
REACH of Package-1,ISO9001 Anno di fondazione:2007 Manufacturer
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Cina Invertitore di pile di ricarica Transistor IGBT multiuso per OBC in vendita

Invertitore di pile di ricarica Transistor IGBT multiuso per OBC

Invertitore solare Igbt Invertitore di potenza IGBT Semiconduttore di IGBT

Prezzo: Inquire

MOQ: Inquire

Tempo di consegna: 2-30days(Depends on the quantity of the order)

Marca: LX

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Anno di fondazione:2012 Produttore/venditore
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Cina SIEMENS - MODULO FZ1200R16KF4 1200 di 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR un 1600V in vendita

SIEMENS - MODULO FZ1200R16KF4 1200 di 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR un 1600V

modulo di ridondanza del diodo modulo di interfaccia analogica modulo di alimentazione del plc

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: SIEMENS

Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD
Anno di fondazione:2010 Importer
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Cina MODULO DI SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR in vendita

MODULO DI SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR

SIEMENS PLC SIMATIC Gruppo di continuità PLC SIMATIC SCHEDA INGRESSO ANALOGICO SIEMENS

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1pc

Tempo di consegna: 2-3 days

Marca: SIEMENS

Wuhan Sean Automation Equipment Co.,Ltd
Anno di fondazione:2016 Distributore/Grossista
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Cina Basse perdite di commutazione Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM in vendita

Basse perdite di commutazione Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM

Modulo del transistor di IGBT Infineon Discrete IGBT Modulo Sic IGBT

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
CERTIFICATE OF QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFI CATION Anno di fondazione:2021 Produttore/esportatore/venditore
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Cina TO247 Package 800V 4A Bidirectional Thyristor for Stable IGBT Transistor Performance in vendita

TO247 Package 800V 4A Bidirectional Thyristor for Stable IGBT Transistor Performance

Componenti elettronici Amplificatori operativi Circuiti integrati amplificatori operativi Amplificatori operativi a circuito integrato

Prezzo: $0.11/pieces 1-99 pieces

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: other

Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.
Anno di fondazione:2017 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semiconduttore di potenza in vendita

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semiconduttore di potenza

MOSFET di potere di Infineon HEXFET Manica 55V 30A del MOSFET N MOSFET di potere di 55V 30A HEXFET

Prezzo: Negotiated

MOQ: 10pieces

Tempo di consegna: 2-15days

Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR

Angel Technology Electronics Co
Anno di fondazione:2006 Produttore
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Cina GD200FFY120C6S TRANSISTORE MODULO IGBT 1.2KV 309A semiconduttore in vendita

GD200FFY120C6S TRANSISTORE MODULO IGBT 1.2KV 309A semiconduttore

SKY65313-21 produttori del modulo del igbt Modulo igbt a 900 MHz

Prezzo: Email us for details

MOQ: 1pcs

Tempo di consegna: 1day

Marca: StarPower

Wisdtech Technology Co.,Limited
environmental management system,Occupational health and safety system Venditore
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Cina Giri intorno al transistor di potenza FGH60N60SMD 600V 60A di arresto di campo di controllo IGBT in vendita

Giri intorno al transistor di potenza FGH60N60SMD 600V 60A di arresto di campo di controllo IGBT

igbt power transistor mosfet power module high power igbt module

Prezzo: negotiable

MOQ: 30 pieces

Tempo di consegna: 1-2 working days

Marca: Fairchild/ON

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
ISO9001,ISO14001 Anno di fondazione:1995 Distributore commerciale/grossista
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Cina alta frequenza semplice del transistor di operazione del riscaldatore di induzione di 160kw IGBT in vendita

alta frequenza semplice del transistor di operazione del riscaldatore di induzione di 160kw IGBT

impianto di riscaldamento di induzione fornace del riscaldamento di induzione Apparecchio di riscaldamento a induzione

MOQ: 1 set

Tempo di consegna: 5-7 working days after receiving advanced payments

Marca: Lanshuo

Zhengzhou Lanshuo Electronics Co., Ltd
CE,ISO9001 Anno di fondazione:2003 Produttore
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