Wafer del fosfuro di indio

Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD

2 - Wafer di cristallo di Gap del substrato del fosfuro a 6 pollici del gallio spessore di 2mm - di 0,1

Materiale eccellente a semiconduttore dei piatti di GE di indio del wafer ottico del fosfuro

Ge Lens Semiconductor Substrates INP Indium Gallium Phosphide Wafer

Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD

3,58 substrato del cristallo dell'ossido di magnesio del wafer del substrato/MgO del MgO di densità

Substrati a semiconduttore dei wafer del Inp dei monocristalli del germanio

Semi che isolano il tipo a 2 pollici wafer fittizio di 50mm N del fosfuro di indio del InP

Alto wafer di superficie rifrangente del germanio di DSP GE

Wafer ottico del Inp di GE, wafer del fosfuro di indio del dispositivo a semiconduttore

Cubo Crystal Mgo Substrates, cristallo di crescita della Francia dell'arco dell'ossido di magnesio

Il wafer del fosfuro di indio dei monocristalli del germanio ha personalizzato la lente ottica 4/a 6 pollici di GE

N / La P scrive il wafer a macchina del germanio, diametro 0,5 ~ 150mm dei piatti dell'ottica del germanio

Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD

Sottostrato di germanio GE Lenti ottiche a finestre piatte Applicazioni di imaging termico e spettroscopia a infrarossi Alta durezza

Income arsenide di indio2 pollici 3 pollici 4 pollici Substrato a cristallo singolo N/P Tipo di semiconduttore Spessore di wafer 300-800um

Sottostrati di semiconduttori per wafer di germanio <111> Concentratore fotovoltaico CPV

Ossido di magnesio Purezza 95% MgO Film Substrato 5x5 10x10 20x20 Spessore 0,5 mm 1,0 mm Orientazione <001> <110> <111>

InAs Wafer Doped Zn 2 Inch Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Spessore 500um <100> Personalizzato

Wafer DFB N-InP substrato epiwafer strato attivo InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pollici per sensore di gas