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Transistor di effetto di campo
(31)il transistor di Manica di 60V TO-263 N, TO-220 ha avanzato il transistor di effetto di campo di potere
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: CANYI
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
60V TO-263 n channel transistor TO-220 advanced power field effect transistor Mosfet n channel features: FET Type:N-Channel Enhancement mode Very low on-resistance Flexible and very practical High switching capability 100% Avalanche Tested before sending to customers Pb-free lead plating; RoHS compl... Visualizza di più
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Approvazione orizzontale del transistor di alto potere dell'uscita del Mosfet di P SOT323 3D 3H 3M RoHS
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: CANYI
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
p mosfet horizontal output transistor SOT323 3D 3H 3M field effect transistor TYPE NUMBERMARKING CODE: BC856W: 3D* BC856AW: 3A* BC856BW: 3B* BC857W: 3H* BC857AW: 3E* BC857BW: 3F* BC857CW: 3G* BC858W: 3M* Field effect transistor features: Low current(max.100mA) Low voltage(max.65V) base-emitter volta... Visualizza di più
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1MHz SOP8 LM358 LM358DR SMD in tutto l'amplificatore del foro
Prezzo: Negotiated
MOQ: 3000pcs
Tempo di consegna: 10-15 days
Marca: CANYI
Evidenziare:LM358DR SMD Throught Hole Amplifier, SOP8 SMD Throught Hole Amplifier, 1MHz Power Field Effect Transistor
LM358DR SMD Amplifier dual operational amplifiers SOP8 LM358 LM358DR SMD Amplifier dual operational amplifiers SOP8 LM358 Features Available in 8-Bump micro SMD chip sized package,(See AN-1112) Internally frequency compensated for unity gain Large dc voltage gain: 100 dB Wide bandwidth (unity gain):... Visualizza di più
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Transistor di potenza MPS2222A MPS2222 2222A del Mosfet di TO-92 600mA 625mW NPN
Prezzo: Negotiated
MOQ: 3000pcs
Tempo di consegna: 10-15 days
Marca: CANYI
Evidenziare:625mW NPN Mosfet Power Transistor, 600mA NPN Mosfet Power Transistor, MPS2222A Transistor
MPS2222A MPS2222 2222A TO-92 NPN mosfet power transistor Choose Canyi to get more benefit: Supplying to Changdian, Xinghai, Tuofeng, Leshan, Roma and Anshi Competitive price and save your time Over 10 years work experience technical service team Mix order accepted and free sample Our fast delivery t... Visualizza di più
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Regolatori di tensione positivi di L7805CV TO-220 L7805 7805 1.5A 5V
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 10-15 days
Marca: CANYI
Evidenziare:L7805CV Positive Voltage Regulators, 1.5A 5V Positive Voltage Regulators, TO-220 Through Hole Voltage Regulator
L7805CV voltage regulator TO-220 L7805 7805 5V POSITIVE VOLTAGE REGULATORS Features Output current to 1.5 A Output voltage of 5V Thermal overload protection Short circuit protection Output transition SOA protection Description The L7805CV of three-terminal positive regulators is available in TO-220 ... Visualizza di più
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Regolatore di tensione positivo 12V 1A/1.5A di L7812CV L7812 KA7812 MC7812
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 10-15 days
Marca: CANYI
Evidenziare:MC7812 Positive Voltage Regulator, KA7812 Positive Voltage Regulator, L7812CV Through Hole Voltage Regulator
L7812CV L7812 KA7812 MC7812 Voltage Regulator 12V 1A/1.5A TO-220 Feature summary Output current to 1.5A Output voltages of 5; 5.2; 6; 8; 8.5; 9; 10; 12; 15; 18; 24V Thermal overload protection Short circuit protection Output transition SOA protection Description The L7800 series of three-terminal po... Visualizza di più
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Convertitori di CC di CA di VIPER22A VIPER22 AP8022 DIP-8 60KHZ
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 10-15 days
Marca: CANYI
Evidenziare:60KHZ AC DC Converters, VIPER22A AC DC Converters, VIPER22 Through Hole Transistor
VIPER22A VIPER22 AP8022 DIP-8 In Stock FEATURE Fixed 60KHZ switching frequency 9V to 38V wide range VDD voltage current mode control auxilary undervoltage lockout with hysteresis high voltage start up current source overtemperature, overcurrent and overvoltage protection with aytorestart. DESCRIPTIO... Visualizza di più
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Pacchetto del MOSFET NCE30H10K TO-252 di potere di modo di potenziamento di Manica di NCE N
Prezzo: usd 0.2/pcs
MOQ: 2500PCS
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: NCE
Evidenziare:NCE N Channel MOSFET, NCE30H10K Surface Mount MOSFET, TO-252 Surface Mount MOSFET
AO3400 SOT-23 mosfet power transistor NPN MOSFET A09T n channel transistor N channel transistor featuresVDS =30V,ID =100ARDS(ON) Visualizza di più
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Mosfet ITO220 del transistor 3N80 di Manica del transistor di effetto di campo 800V/N
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: CANYI
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
800V n channel transistor 3N80 mosfet ITO220 field effect transistor 20~40V 40V 55-60V 65-95V 100-150V 200-500V 600V 650V 700-900V MOSFET High power transistor features: Excellent package for good heat dissipation Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance Fast switching capability Avala... Visualizza di più
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Transistor di effetto di campo di alta precisione 3N80 3A 800V/Mosfet N di potere - incanali TO-220
Prezzo: Negotiated
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: CANYI
Evidenziare:high power transistor, p channel transistor
High precision 3N80 3A 800V Field Effect Transistor/ Power Mosfet N-Channel TO-220 20~40V 40V 55-60V 65-95V 100-150V 200-500V 600V 650V 700-900V MOSFET High power transistor features: Excellent package for good heat dissipation Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance Fast switching ca... Visualizza di più
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MOSFET di potere di modo di potenziamento del triodo di Manica del transistor di effetto di campo MX2301 P
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: DEC
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
Electronic Components A1SHB Transistor 2301 -20V -2.8A SOT-23 P-Channel Product Description The MX2301A uses advanced trench technology to provide excellent RDS, low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. ... Visualizza di più
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Supporto della superficie della metropolitana del MOS del transistor di effetto di campo dei componenti elettronici MX3401 -30V VDS
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: DEC
Evidenziare:high power transistor, p channel transistor
electronic components MX3401 transistor -30V -4.2A SOT-23-3L P-channel Description The MX3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Shenzh... Visualizza di più
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N doppia - progettazione ad alta densità delle cellule del transistor di effetto di campo di Manica MXN3312 per commutazione di potenza
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: DEC
Evidenziare:mosfet power transistor, p channel transistor
MXN3312 Field Effect Transistor Dual N - Channel Enhancement Mode Power Mosfet Product Description The MXN3312 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. High density cell design fo ultra low Rdson F... Visualizza di più
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Transistor di alto potere di superficie del supporto MX3407 P - il tipo di Manica RoHS ha certificato
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 1 - 2 Weeks
Marca: DEC
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
Electronic Components MX3407 Field Effect Transistor P Channel In Stock Product Description High power and current handing capability Lead free product is acquired Surface mount package Our Advantage: 1. Electronic component specialist and professional. 2. Strong R & D team, experienced research... Visualizza di più
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Pacchetto di originale del MOSFET 2A 600V TO-220F del transistor di Manica di FQPF2N60C FQPF2N60 2N60 N
Prezzo: US$ 0.1-0.19 per unit (Pieces)
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: Canyi
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
FQPF2N60C FQPF2N60 2N60 MOSFET 2A 600V field effect transistor TO-220F MOS FET N-Channel transistor Original Package Features:1.6A, 600V, RDS(on) = 4.7Ω @VGS = 10 VLow gate charge ( typical 9.0 nC)Low Crss ( typical 5.0 pF)Fast switching100% avalanche testedImproved dv/dt capabilitGeneral Descriptio... Visualizza di più
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Modo di potenziamento di Manica del transistor di alto potere del MOS dei FETs SOT-23 dei MOSFETs SI2301 2.5A 20V A1SHB P
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: CANYI
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
SI2301 MOSFETs FETs SOT-23 MOS power field effect transistor 2.5A 20V A1SHB P-channel Enhancement Mode Features:Advanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceMaximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25℃unless otherwise noted)ParameterSymbolLimitUnitDr... Visualizza di più
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Transistor del canale del MOSFET A09T n del transistor di potenza NPN del mosfet di AO3400 SOT-23
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: CANYI
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
AO3400 SOT-23 mosfet power transistor NPN MOSFET A09T n channel transistor Features: Model Number:AO3400 Type:MOSFET Package Type:Surface Mount Product Name:AO3400 Other name:AO3400A Marking:A09T FET Type:N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss):30V Current - Continuous Drain (Id) 25°C5.8A (Ta) Driv... Visualizza di più
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La N incanala i transistor di effetto del giacimento del Mosfet 10N60 600V per le alimentazioni elettriche commutate del modo
Prezzo: US$ 0.1-0.19 per unit (Pieces)
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: Canyi
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
10N60 600V n channel mosfet field effect transistors for switched mode power supplies Datasheet:CY-10N60F.pdf Field effect transistor features: Drain Current is 9.5A, 600V, RDS(on) =0.73Ω @VGS =10 V Low gate charge MOSFET simplifies gate drive design( typical 9.0 nC) Fast switching 100% avalanche te... Visualizza di più
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Componente elettronico AP70N03NF del Mosfet SMD del transistor di Manica del circuito integrato N
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: CANYI
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
AP70N03NF.pdfAP70N03NF Transistor MOSFET SMD N-Channel Electronic Component for Integrated Circuit Description The AP70N03NF uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate 6][charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery ... Visualizza di più
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Manica del MOSFET SMD N del transistor di effetto di campo di potere di AP85N03NF con il commutatore del carico
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1000PCS
Tempo di consegna: 3-5 days
Marca: CANYI
Evidenziare:mosfet power transistor, high power transistor
AP85N03NF Power field effect Transistor MOSFET SMD N-Channel with Load switch Description The AP85N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other S... Visualizza di più
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