Substrato a semiconduttore
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substrato Dsp Ssp del wafer dell'ossido del gallio di 1inch 2inch Beta Coefficient Ga 2O3
Prezzo: by case
MOQ: 5pcs
Tempo di consegna: in 30days
Marca: ZMKJ
Evidenziare:wafer dell'ossido del gallio 2inch, Substrato del wafer di Beta Coefficient Ga 2O3, Substrato a semiconduttore dell'ossido del gallio
Il wafer dell'ossido del gallio di Epiwafers Beta Coefficient-Ga 2O3 dell'ossido del gallio ha verniciato il substrato Dsp Ssp del quadrato di mg Fe3+
L'ossido del gallio (Ga2O3) la ha una grande energia di intervallo di banda e può svilupparsi da una fonte della colata. Di conseguenza, i gran... Visualizza di più
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del niobato di litio a 4 pollici 900nm i film sottilissimi LiNbO3 mettono a strati sul substrato di silicio
Prezzo: by case
MOQ: 2pcs
Tempo di consegna: in 30days
Marca: ZMKJ
Evidenziare:Wafer del niobato di litio LiNbO3, Wafer a 4 pollici del niobato di litio, niobato di litio 900nm sull'isolante
4inch 6inch 300-900 film sottili del niobato di litio LiNbO3 LN di nanometro (LNOI) sulla lastra di silicio
Direzione dell'applicazione:
· Modulatori elettroottici · Linee di ritardo
· Commutatori elettroottici di Q · X-BAR
· Dispositivi del modulatore di fase · Ottica no... Visualizza di più
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Superficie avvolta spessore di cristallo a 2 pollici del wafer 0,3 di Gap del substrato del fosfuro del gallio
Prezzo: BY CASE
MOQ: 5PCS
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:substrato del wafer, wafer a semiconduttore
Cristalli a 2-6 pollici substrato di cristallo, wafer del fosfuro del gallio (Gap) di Gap
La latta di ZMKJ fornisce il wafer di 2inch Gap – fosfuro del gallio che si sviluppano da LEC (Czochralski incapsulato liquido) come grado epi-pronto o meccanico con il tipo di n, il tipo di p... Visualizza di più
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Il tipo a 6 pollici di N ha lucidato il wafer dell'ossido di silicio della lastra di silicio DSP SiO2
Prezzo: by quantites
MOQ: 25pcs
Tempo di consegna: 1-4weeks
Marca: ZMSH
Evidenziare:Tipo lastra di silicio di N lucidata, Wafer dell'ossido di silicio SiO2, DSP ha lucidato la lastra di silicio
wafer lucidato N tipo dell'ossido di silicio dei wafer della lastra di silicio di 6inch 8inch 2inch 1inch FZ CZ DSP SiO2
Wafer unici della lastra di silicio (11N) e doppio lucidati a 1-12 pollici di grande purezza lucidati di CzochralskiDimensioni 1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" e wafer sp... Visualizza di più
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Il silicio a 2 pollici del film di 1000nm AlN ha basato il substrato a semiconduttore del nitruro di alluminio
Prezzo: by case
MOQ: 3pcs
Tempo di consegna: in 30days
Marca: ZMKJ
Evidenziare:Substrato a semiconduttore del film di AlN, substrato del nitruro di alluminio di AlN, wafer del nitruro di alluminio 1000nm
a film basato a silicio dei modelli 500nm AlN di 4inch 6inch AlN sul substrato di silicio
Applicazioni di Modello di AlN
a tecnologia dei semiconduttori basata a silicio ha raggiunto i suoi limiti e non ha potuto rispondere alle esigenze di futuro
apparecchi elettronici. Come genere tipico ... Visualizza di più
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Semi Undoped del wafer dell'arsenuro di gallio di 2INCH 3INCH 4Inch che isolano il substrato di GaAs per il LED
Prezzo: by case
MOQ: 5pcs
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:substrato del wafer, wafer a semiconduttore
tipo wafer di 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N di GaAs dell'arsenuro di gallio di /Si-doped dell'semi-isolamentoDescrizione di prodottoIl nostro 2' “a 6" “cristallo semiconduttore & d'isolamento & wafer di GaAs è utilizzato sfrenatamente nell'applicazione del circuito integrato a semicondutto... Visualizza di più
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Wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio del substrato del semiconduttore drogato di si per Microwave/HEMT/PHEMT
Prezzo: by case
MOQ: 5pcs
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:substrato del gasb, wafer a semiconduttore
il tipo di 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-ha verniciato il wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio Descrizione di prodotto
Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs)
PWAM sviluppa e fabbrica il cristallo ed il wafer dell'arseniuro del substrato-gallio a semiconduttore composto. Abbiamo usato la tec... Visualizza di più
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Wafer 350 del fosfuro di indio del InP del monocristallo - spessore 650um
Prezzo: by case
MOQ: 3pcs
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:Singolo Crystal Indium Phosphide Wafers, wafer del fosfuro di indio 650um, Wafer del substrato a semiconduttore del InP
il TIPO il substrato S+/verniciato wafer Zn+ /Fe + fosfuro dei wafer 3inch 4inch N/P del InP 2inch a semiconduttore del InP di indio ha basato il singolo substrato del InP Crystal Wafer Dummy Prime Semiconductor di pollice 350-650 del wafer 2 inch/3 inch/4 del InP di Crystal Indium Phosphide Wafers ... Visualizza di più
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Wafer verniciato Zn industriale del monocristallo del fosfuro di indio del InP del Fe del substrato S a semiconduttore
Prezzo: by case
MOQ: 3pcs
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:substrato del gasb, substrato del wafer
2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn ha verniciato il fosfuro di indio del InP singolo Crystal Wafer
Il fosfuro di indio (InP) è un materiale importante a semiconduttore composto con i vantaggi di alta velocità elettronica della deriva di limite, di buona resistenza di radiazione e di buona conducibil... Visualizza di più
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Wafer a 2-6 pollici del substrato del monocristallo del substrato LiNbO3 a semiconduttore
Prezzo: by case
MOQ: 25pcs
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:substrato del wafer, wafer a semiconduttore
4inch wafer del substrato del niobato di litio LiNbO3 del diametro 100mm, wafer di LN per la sega ed ottico, lingotto di cristallo del grado LiNbO3 della SEGA
Descrizione:
Il niobato di litio (LiNbO3) è un materiale ferroelettrico adatto a varie applicazioni. La sua versatilità
è reso possibi... Visualizza di più
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Il cristallo del Tantalate LiTaO3 di LT litio di Y-42°, Fe+ ha verniciato il wafer del substrato 300um per ha visto ottico
Prezzo: by case
MOQ: 25pcs
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:substrato del wafer, wafer a semiconduttore
il cristallo/Fe+ del tantalate di LT Lithium di 2inch/3inch/4inch/6inch Y-42°/36°/128° (LiTaO3) ha verniciato il tipo wafer del substrato di 250um/300um
Nome di prodotto: Descrizione di cristallo del substrateProduct del tantalate del litio (LiTaO3): Il monocristallo del tantalate del litio (LiTaO3... Visualizza di più
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Wafer a 6 pollici dei modelli di Sapphire Based AlN per la finestra dello zaffiro del wafer dello zaffiro dei dispositivi di 5G BAW
Prezzo: by case
MOQ: 5pcs
Tempo di consegna: in 30days
Marca: ZMKJ
Evidenziare:Lo zaffiro ha basato i modelli di AlN, Wafer a 6 pollici dello zaffiro, Modelli a 6 pollici di AlN
film di AlN dei modelli basato zaffiro di 2inch 4iinch 6Inch AlN sul wafer dello zaffiro della finestra dello zaffiro del substrato dello zaffiro
Applicazioni di Modello di AlN
a tecnologia dei semiconduttori basata a silicio ha raggiunto i suoi limiti e non ha potuto rispondere alle esigenz... Visualizza di più
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Wafer a 4 pollici di GE del substrato a semiconduttore del germanio per i laser infrarossi di CO2
Prezzo: by specification
MOQ: 3PCS
Tempo di consegna: 2-4weeks;
Marca: ZMSH
Evidenziare:Substrato a semiconduttore del germanio, Substrato del germanio dei wafer di GE, Substrato della lastra di silicio dei laser di CO2
finestra N tipa di GE del substrato del germanio dei wafer di GE 4inch per i laser infrarossi di CO2
Il materiale di GE presenta
Fra i materiali ottici, i materiali del germanio sono sempre più ampiamente usati nelle tecnologie di visione notturna e di infrarosso. Il germanio appartiene al... Visualizza di più
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2inch 325um GA-ha verniciato i wafer di GE del substrato del germanio per infrarosso
Prezzo: by specification
MOQ: 3PCS
Tempo di consegna: 2-4weeks;
Marca: ZMSH
Evidenziare:GA ha verniciato il substrato del germanio, lenti del germanio 10um, Finestra di GE per i laser infrarossi di CO2
finestra N tipa di GE del substrato del germanio dei wafer di GE 4inch per i laser infrarossi di CO2
Il materiale di GE presenta
Fra i materiali ottici, i materiali del germanio sono sempre più ampiamente usati nelle tecnologie di visione notturna e di infrarosso. Il germanio appar... Visualizza di più
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tipo pezzo quadrato SEM del microscopio elettronico a scansione di 10x10mm P della lastra di silicio
Prezzo: by quantites
MOQ: 25pcs
Tempo di consegna: 1-4weeks
Marca: ZMSH
Evidenziare:Substrati della lastra di silicio del microscopio elettronico, tipo lastra di silicio di 10x10mm P, Lastra di silicio lucidata quadrato
wafer lucidato N tipo dell'ossido di silicio dei wafer della lastra di silicio di 2inch 3inch 4inch 5inch 6inch 8inch 12inch FZ CZ DSP SiO2
lastra di silicio del microscopio elettronico a scansione di 1inch 2inch 10x10mm piccolo pezzo quadrato SEM
Wafer unici della lastra di silicio (11N) e d... Visualizza di più
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Il substrato GA a semiconduttore dei wafer di GE del diametro 50.8mm ha verniciato il tipo 500um del substrato N
Prezzo: by case
MOQ: 5pcs
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:Tipo wafer di N di GaAs Epi, Substrato del wafer dei silici drogati di GA, Substrato di silicio dei wafer di GE
2INCH dia50.8mm GA ha verniciato i wafer N tipi di GE 500um del substrato 4inch di GE
Wafer di GE per l'applicazione microelettronica
Il tipo di N, Sb ha verniciato il wafer di GE
Tipo di N, wafer undoped di GE
Il tipo di P, GA ha verniciato il wafer di GE
Dim... Visualizza di più
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Dell'OEM singola Crystal Ge lente ottica del diametro 25.4mm
Prezzo: by case
MOQ: 10pcs
Tempo di consegna: 2-4weeks
Marca: zmkj
Evidenziare:Singolo Crystal Gallium Nitride Wafer, Wafer del nitruro di gallio del diametro 25.4mm, Wafer del nitruro di gallio dell'OEM
finestre singolo Crystal Germanium Ge Wafer di GE di dia25.4mm per il dispositivo a semiconduttore
Descrizione di prodotto
ZMKJ è un fornitore mondiale della lente del germanio di monocristallo e lingotto di GE di monocristallo, presentiamo un forte vantaggio nella fornitura del wafer ... Visualizza di più
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Tipo a 6 pollici substrato di VGF N a semiconduttore di GaAs per crescita epitassiale
Prezzo: BY case
MOQ: 3PCS
Tempo di consegna: 2-6weeks
Marca: ZMSH
Evidenziare:Substrato a semiconduttore di GaAs, Substrato a semiconduttore di VGF, tipo substrato di crescita epitassiale n
Wafer principale n tipo di GaAs del grado di VGF 2inch 4inch 6inch per crescita epitassiale
Il wafer di GaAs (arsenuro di gallio) è un'alternativa vantaggiosa a silicio che sta evolvendosi nell'industria a semiconduttore. Meno consumo di energia e più efficienza offerti dai wafer di qu... Visualizza di più
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4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
Prezzo: by case
MOQ: 5pcs
Tempo di consegna: in 30days
Marca: ZMKJ
Evidenziare:5G ha visto i modelli gan, 4" modelli gan, Substrato a semiconduttore di GaN
2inch 4inch 4" zaffiro ha basato il film di GaN dei modelli di GaN sul substrato dello zaffiro
Proprietà di GaN
Proprietà chimiche di GaN
1) Alla temperatura ambiente, GaN è insolubile in acqua, acido ed alcali.
2)Dissolto in una soluzione alcalina calda ad un tasso molto lento.
3) ... Visualizza di più
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6" silicio ha basato il film dei modelli 500nm AlN di AlN sul substrato di silicio
Prezzo: by case
MOQ: 3pcs
Tempo di consegna: in 30days
Marca: ZMKJ
Evidenziare:Film di AlN sul substrato di silicio, modelli di 500nm AlN, 6" modelli di AlN
diametro 150mm a film basato a silicio dei modelli 500nm AlN di 8inch 4inch 6inch AlN sul substrato di silicio
Applicazioni di Modello di AlN
a tecnologia dei semiconduttori basata a silicio ha raggiunto i suoi limiti e non ha potuto rispondere alle esigenze di futuro
apparecchi elettroni... Visualizza di più
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