Transistori a diodi
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DF10S2 DF10S Diodo raddrizzatore a ponte monofase 1KV 1.5A 4 Pin SDIP SMD
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Diodes Incorporated
Evidenziare:Diodo raddrizzatore a ponte monofase DF10S, diodo raddrizzatore a ponte monofase DF10S2, diodo raddrizzatore a ponte 1KV 1.5A
DF10S2 DF10S Diodo a ponte raddrizzatore Singolo 1KV 1,5 A 4 pin SDIP Diodi SMD incorporati
DF10S2 Diodo a ponte raddrizzatore singolo 1KV 2A 4 pin
Diodo a ponte raddrizzatore DF10S singolo 1KV 1A 4 pin
DF005S
DF01S2
DF02S2
DF04S
DF06S
DF08S
Specifica:
Numero di parte
DF10S2
Categoria
... Visualizza di più
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60V 10.8A Diodi Transistori FETS DMT6009LSS-13 MOSFET singolo canale N
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Diodes
Evidenziare:Transistori a diodi 60V 10.8A, DMT6009LSS-13, transistor FETS DMT6009LSS-13
DMT6009LSS-13 singoli transistor di Manica 60V 10.8A del MOSFET N
Semiconduttore discreto del MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 dei FETS
Specificazione DMT6009LSS-13:
Numero del pezzo
DMT6009LSS-13
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Tra... Visualizza di più
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Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione ultra ad alta velocità
Prezzo: Negotiated
MOQ: 100pcs
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: ROHM Semiconductor
Evidenziare:Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione, Planare epitassiale di commutazione ad alta velocità del silicio, Transistor dei diodi di commutazione 1SS226
Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione di Ultra-Alto-velocità
1. Applicazioni
• Commutazione di Ultra-Alto-velocità
2. Caratteristiche
(1) AEC-Q101 qualificato
Caratteristica
Commutazione ad alta velocità
Collegamento interno... Visualizza di più
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1N5822 SS34 Diodo raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale 3.0A 40V
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: JI/ONSEMI
Evidenziare:SS34 Raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale, 1N5822 Raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale, Diodo raddrizzatore a barriera 3.0 A 40 V
1N5822 SS34 Raddrizzatore a barriera Schottky 3.0A 40V adatto per l'uso come raddrizzatori in inverter ad alta frequenza a bassa tensione
Il raddrizzatore Schottky utilizza il principio della barriera Schottky in un diodo di potenza metallo-silicio di ampia area.
La geometria all'avanguardia de... Visualizza di più
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Raddrizzatore a ponte del MOSFET dei transistor dei diodi di raddrizzatore della barriera di SS36 SMB Schottky IC
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: vishay/ours
Evidenziare:Transistor dei diodi di raddrizzatore della barriera di Schottky, Diodi di raddrizzatore della barriera di SS36 SMB Schottky, Raddrizzatore a ponte del MOSFET SS36 IC
componente elettronico montato di superficie dei raddrizzatori a ponte del MOSFET dei transistor del diodo di raddrizzatore della barriera di 3A SS36 SMB Schottky
Nome:
diodo di raddrizzatore della barriera del pacchetto SMD Schottky di 3A SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS315 SS320 SMA/... Visualizza di più
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TDA7297 TDA7294V Amplificatore audio IC AMP AB MONO 100W 15 Multiwatt
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
Evidenziare:TDA7294V Amplificatore Audio IC, TDA7297 Amplificatore Audio IC, TDA2050V TDA2040V
TDA7297 TDA7294V TDA2050V TDA2040V TDA2030V TDA2005R TDA2003V
AMPLIFICADOR DE AUDIO Amplificatore IC Componenti elettronici
Amplificatore audio DMOS 100 V, 100 W con mute/st-by
Dettagli del prodotto
Descrizione:
Il TDA7294 è un circuito integrato monolitico in package Multiwatt15, destin... Visualizza di più
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2N7002K 2V7002K Diodi Transistori N Canale Segnale Mosfet 60V 380mA
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Onsemi
Evidenziare:Transistor a diodi 2V7002K, transistor a diodi 2N7002K, transistor mosfet 60V 380mA
2N7002K 2V7002K Mosfet di segnale N-Channel Piccoli componenti a semiconduttore 60V 380mA Moduli discreti e di potenza
2N7002K 2V7002K MOSFET a canale N a piccolo segnale 60 V 380 mA
Applicazioni:
Interruttore di carico laterale basso
Circuiti di spostamento del livello
Convertitore CC-C... Visualizza di più
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1SMB5918B Diodo Zener da 5,1 V DO-214AA SMB a semiconduttore discreto
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Rectron/OEM
Evidenziare:1SMB5918B Diodo Zener da 5, 1 V, semiconduttore discreto SMB, Diodo Zener da 5, 1 V DO-214AA
1SMB5918B Diodo Zener ±5% Montaggio superficiale DO-214AA Semiconduttore discreto SMB
Specifica:
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Diodi - Zener - Singoli
Numero di parte
1SMB5918B
Pacchetto
Nastro e bobina (TR)
Stato della parte
Attivo
Tensione - Zener (N... Visualizza di più
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Transistor ultraveloci dei diodi di STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT 31A 600V
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
Evidenziare:STGWA19NC60HD, GWA19NC60HD, IGBT ultraveloce 31A 600V
STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT ultraveloce 31 A 600 V IGBT veloce stesso con il diodo ultraveloce
Transistor - IGBTs - singolo 31 A, 600 V, IGBT molto veloce con il diodo ultraveloce
Dettagli del prodotto
Descrizione:
Questo dispositivo è un IGBT ultraveloce.
Utilizza il processo avanzat... Visualizza di più
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SMC B530C Diodi Zener Transistori 30V 5A Diodo Schottky di alimentazione
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: JI
Evidenziare:Diodi Zener B530C, Diodo Schottky di alimentazione 30 V 5 A, Diodi Zener SMC B530C
Diodo Zener B530C SCHOTTKY 30V 5A SMC semiconduttore discreto
Specifica:
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Diodi - Diodo SCHOTTKY
Numero di parte
B530C
Pacchetto
Nastro e bobina (TR)
Stato della parte
Attivo
Tensione - Zener (Nom) (Vz)
30 V
Tolleranza
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Diodo di segnalazione di commutazione di potenza LL34 1N4148 del diodo di raddrizzatore FDLL4148 piccolo
Prezzo: Negotiated
MOQ: 100pcs
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: FAIRCHILD/ONSEMI
Evidenziare:Diodo di raddrizzatore FDLL4148, piccolo diodo di segnalazione 1N4148, Piccolo diodo di segnalazione LL34
Diodo di segnalazione di commutazione di potenza LL34 1N4148 MINI-MELF SOD80 del diodo di raddrizzatore FDLL4148 piccolo
Il diodo di commutazione vetro-incluso ll-34 presentato da gaot ha l'alte stabilità ed affidabilità, corrente inversa bassa di perdita,
velocità di commutazione più di meno ... Visualizza di più
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Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW a semiconduttore di DTC123YUA ROHM
Prezzo: Negotiated
MOQ: 100pcs
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: ROHM Semiconductor
Evidenziare:DTC123YUA, Transistor a semiconduttore di ROHM, Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin DTC123YUAT106 a semiconduttore di DTC123YUA ROHM
Serie di DTC123YUA 50 V 100 transistor di superficie del supporto NPN Digital di mA - SC-70
Numero del prodotto relativo:
Parte di Mfr #
Descrizione
Pacchetto
DTC123EM3T5G
Trasporto P... Visualizza di più
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GP BJT NPN 60V 50mA Diodi Transistori CMPT2484 Semiconduttore centrale
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Central Semiconductor
Evidenziare:CMPT2484 Semiconduttore centrale, transistor a diodi 60 V 50 mA, transistor a diodi GP BJT NPN
CMPT2484 Transistori a diodi a semiconduttore centrale GP BJT NPN 60 V 50 mA 3 pin SOT-23 a semiconduttore discreto
Specifica:
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Diodi - Diodo SCHOTTKY
Numero di parte
CMPT2484TR
Pacchetto
Nastro e bobina (TR)
Stato della parte
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Componenti elettronici a semiconduttore del MOSFET Toshiba di SSM3K36MFV
Prezzo: Negotiated
MOQ: 100pcs
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Toshiba Semiconductor
Evidenziare:Componenti elettronici a semiconduttore di Toshiba, Diodi dei componenti elettronici di SSM3K36MFV, Transistor dei diodi di SSM3K36MFV
Componenti elettronici a semiconduttore del MOSFET Toshiba di SSM3K36MFV
Caratteristiche
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Mfr
Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Serie
... Visualizza di più
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