Sensore fotoelettrico infrarosso
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S2386-5K Sensore a fotodiodo di silicio Sensore fotoelettrico a infrarossi 30 V Fotometria universale Geberal
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:Sensore fotoelettrico infrarosso di S2386-5K, Sensore fotoelettrico infrarosso 30 V, Sensore del fotodiodo del silicio
Descrizione del prodotto:
S2386-5K Sensore a fotodiodo di silicio Sensore fotoelettrico a infrarossi 30 V Fotometria universale Geberal
Caratteristiche:
Adatto per la luce visibile alla banda infrarossa vicina, determinazione fotometrica universale
Caratteristiche del prodotto
● Alta sensibilità n... Visualizza di più
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S12053-02 Fotodiodo a valanga di silicio tipo a lunghezza d'onda corta per banda di 600 nm
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:Diodo della foto del silicio S12053-02, Diodo della foto del silicio a basso rumore, Fotodiodo della valanga di APD
Descrizione del prodotto:
S12053-02 Fotodiodo a valanga di silicio tipo a lunghezza d'onda corta per banda di 600 nm
Caratteristiche:
APD di tipo a onde corte
Ha un'alta sensibilità e un basso rumore nella banda ultravioletta visibile
Coefficiente di temperatura della tensione di rottura (valore t... Visualizza di più
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S8746-01 Preamplificatori di fotodiodi a pin di silicio Sensore fotoelettrico a infrarossi Resistore integrato
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:Sensore fotoelettrico infrarosso S8746-01, Sensore fotoelettrico infrarosso dei preamplificatori, Silicio integrato Pin Photodiode della resistenza
Descrizione del prodotto:
S8746-01 Preamplificatori di fotodiodi a pin di silicio Sensore fotoelettrico a infrarossi Resistore integrato
Caratteristiche:
un'ampiezza superiore o uguale a 1 mm
S8746-01 è un sensore a basso rumore composto da fotodiodi, amplificatori operativi, resistori di feedback... Visualizza di più
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S12698-02 Fotodiodo di silicio ad alta resistenza ai raggi UV per il monitoraggio dei raggi UV
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:S12698-02, Fotodiodo del monitor di luce UV, Fotodiodo migliorato UV
Descrizione del prodotto:
S12698-02 Fotodiodo di silicio ad alta resistenza ai raggi UV per il monitoraggio dei raggi UV
Caratteristiche:
Alta tolleranza alla luce UV, adatta per fotodiodi di monitoraggio della luce UV
La serie S12698 è un fotodiodo di silicio che utilizza una struttura non resino... Visualizza di più
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S1227-1010BQ Sensore fotoelettrico a infrarossi da fotodiodo di silicio per luce ultravioletta a luce visibile
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5workingdays
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:S1227-1010BQ, Sensore infrarosso fotoelettrico
Descrizione del prodotto:
S1227-1010BQ Sensore fotoelettrico a infrarossi da fotodiodo di silicio per luce ultravioletta a luce visibile
Caratteristiche:
adatti per la luce ultravioletta alla luce visibile, determinazione fotometrica di precisione;Suppressione della sensibilità a banda infrarossa
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R9533 Sensore fotoelettrico a infrarossi a 185 nm UVTRON Detettore di fiamme
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:Sensore fotoelettrico infrarosso R9533, Sensore fotoelettrico infrarosso 185 nanometro, Di fiamme di UVTRON
Descrizione del prodotto:
R9533 Sensore fotoelettrico a infrarossi a 185 nm UVTRON Detettore di fiamme
Caratteristiche:
R9533 è un rivelatore di fiamma end-to-end (luce UV proveniente dalla faccia finale del tubo) che è facile da installare nella maggior parte dei dispositivi.Ha anche un'elevata s... Visualizza di più
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PDL basso del sensore fotoelettrico infrarosso G8370-81, InGaAs PIN Photodiode
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:Sensore fotoelettrico infrarosso G8370-81, PDL basso del sensore fotoelettrico infrarosso, Fotodiodo di PIN di InGaAs
Descrizione di prodotto:
PDL di G8370-81 InGaAs PIN Photodiode Low (perdita dipendente di polarizzazione)
Caratteristiche:
PDL basso (perdita dipendente di polarizzazione)
Il fotodiodo G8370-81 di PIN di InGaAs ha il PDL basso (perdita dipendente di polarizzazione), la grandi resistenza dell... Visualizza di più
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L9657-03 Tubo di trasmissione UV rosso importato con l'imballaggio originale
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:Metropolitana del trasmettitore L9657 03, Metropolitana UV rossa del trasmettitore, Singolo trasmettitore della metropolitana L9657 03
L9657 03 Tubo di trasmissione UV rosso importato con l'imballaggio originale
Tubo di trasmissione UV rosso L9657-03 importato con imballaggio originale
Caratteristiche:
1) Il nitruro di alluminio gallio come materiale di base
2) Fotodiodo di Schottky
3) Funzionamento in modalità fotovoltaica
4) ... Visualizza di più
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R9454 sensore fotoelettrico infrarosso UVTRON, fotometrico di fiamme
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Evidenziare:Sensore fotoelettrico infrarosso R9454, Sensore fotoelettrico infrarosso UVTRON, Fotometrico di fiamme
Descrizione di prodotto:
Incidente di luce ultravioletta di fiamme R9454 dal lato della metropolitana (UVTRON)
Caratteristiche:
R9454 è di fiamme della laterale finestra con un simile profilo al R2868 UVTRON (luce UV che viene dal lato del corpo del tubo). Inoltre ha l'alta sensibilità ed amp... Visualizza di più
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Fotodiodi di silicio S1226-18BK
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:S1226-18BQ Silicon Photodiodes, NIR Sensitivity Silicon Photodiodes, S1226-18BK Silicon Photodiodes
Diodiodi fotovoltaici a pin di silicio S1226-18BK
È adatto per la fotometria precisa nella banda di lunghezza d'onda dall'ultravioletto al visibile; sopprime la sensibilità al vicino infrarosso
Caratteristiche
- Alta sensibilità ai raggi UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suppressione della sensibilità NIR... Visualizza di più
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Fotodiodi a pin di silicio S1226-44BK S1226-44BQ Corrente scura bassa
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:S1226-44BK Silicon Pin Photodiodes, S1226-44BQ Silicon Pin Photodiodes, Low Dark Current Silicon Pin Photodiodes
fotodiodi di silicio S1226-44BK
È adatto per la fotometria precisa nella banda di lunghezza d'onda dall'ultravioletto al visibile; sopprime la sensibilità al vicino infrarosso
Caratteristiche
- Alta sensibilità ai raggi UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suppressione della sensibilità NIR
- Corrente scura ... Visualizza di più
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Fotodiodi a pin di silicio S1226-5BK S1226-5BQ Suppressione della sensibilità NIR
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:S1226-5BQ Silicon Pin Photodiodes, S1226-5BK Silicon Pin Photodiodes, NIR Sensitivity Silicon Pin Photodiodes
Fabbricazione a partire da materiali di cui all'allegato 1 del presente regolamento
È adatto per la fotometria precisa nella banda di lunghezza d'onda dall'ultravioletto al visibile; sopprime la sensibilità al vicino infrarosso
Caratteristiche
- Alta sensibilità ai raggi UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- ... Visualizza di più
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Fotodiodi a pin di silicio S1226-8BK S1226-8BQ Alta affidabilità
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:S1226-8BQ Silicon Pin photodiodes, S1226-8BK Silicon Pin photodiodes, High reliability Silicon Pin photodiodes
Diodiodi fotovoltaici di silicio S1226-8BK
È adatto per la fotometria precisa nella banda di lunghezza d'onda dall'ultravioletto al visibile; sopprime la sensibilità al vicino infrarosso
Caratteristiche
- Alta sensibilità ai raggi UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suppressione della sensibilità NIR
- Corr... Visualizza di più
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Fotodiodo di silicio PIN S5821-01 Risposta ad alta velocità Corrente scura bassa
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:Low Dark Current Silicon PIN Photodiode, High Speed Response Silicon PIN Photodiode, S5821-01 Silicon PIN Photodiode
L'indicatore di potenza di sorveglianza deve essere conforme alle prescrizioni di cui all'allegato I, paragrafo 1, del regolamento (CE) n. 715/2009.
Fotodiodi di silicio PIN ad alte prestazioni e alta affidabilità
L'S5821-01 è un fotodiodo al silicio PIN ad alta velocità con elevata sensibilità su u... Visualizza di più
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Fotodiodi di silicio S1337-66BQ S1337-33BQ bassa capacità
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:Low Capacitance Silicon Photodiodes, S1337-66BQ Silicon Photodiodes, S1337-33BQ Silicon Photodiodes
Fabbricazione a partire da materiali di cui all'allegato 1È adatto per la fotometria precisa nella banda ultravioletta e infrarossa Caratteristiche- Alta sensibilità ai raggi UV: QE 75% (λ=200 nm)- Capacità bassa Lunghezza d'onda di massima sensibilità (tipica)960 nmCorrente scura (massimo)100 pATem... Visualizza di più
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Fotodiodi di silicio S1337-33BR S1337-66BR bassa capacità
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:Low Capacitance Silicon Photodiodes, S1337-66BR Silicon Photodiodes, S1337-33BR Silicon Photodiodes
fotodiodi di silicio S1337-66BR
È adatto per la fotometria precisa nella banda ultravioletta e infrarossa
Caratteristiche
- Capacità bassa
Lunghezza d'onda di massima sensibilità (tipica)
960 nm
Sensibilità alla luce (tipica)
0.62 A/W
Tempo di alzata (tipico)
1 μs
Capacità di giunzione (tip... Visualizza di più
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Fotodiodi di silicio S1337-1010BR
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:Low Capacitance Silicon Photodiodes, S1337-1010BR Silicon Photodiodes, S1337-1010BQ Silicon Photodiodes
Fabbricazione a partire da materiali di cui all'allegato 1
È adatto per la fotometria precisa nella banda ultravioletta e infrarossa
Caratteristiche
- Alta sensibilità ai raggi UV: QE 75% (λ=200 nm)
- Capacità bassa
Lunghezza d'onda di massima sensibilità (tipica)
960 nm
Sensibilità alla luce (... Visualizza di più
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Soluzioni per il trattamento delle emissioni di carbonio
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:Non-cooled Silicon Photodiodes, Suppressed IR Silicon Photodiodes, S1227-33BQ Silicon Photodiodes
fotodiodi di silicio S1227-33BQ
È adatto per la fotometria precisa nella banda di lunghezza d'onda dall'ultravioletto alla banda visibile; sopprime la sensibilità agli infrarossi
Caratteristiche
- Alta sensibilità ai raggi UV (tipo finestra al quarzo): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Sensibilità IR soppre... Visualizza di più
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Fotodiodi di silicio S1227-66BQ
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:S1227-66BQ Silicon Photodiodes, Suppressed IR Sensitivity Silicon Photodiodes, S1227-66BR Silicon Photodiodes
Fotodiodi di silicio S1227-66BQ
È adatto per la fotometria precisa nella banda di lunghezza d'onda dall'ultravioletto alla banda visibile; sopprime la sensibilità agli infrarossi
Caratteristiche
- Alta sensibilità ai raggi UV (tipo finestra al quarzo): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Sensibilità IR sop... Visualizza di più
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SILICON PIN Photodiode S5971 Basso prezzo Alta affidabilità
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-5work days
Evidenziare:S5971 Silicon PIN Photodiode, Low Price Silicon PIN Photodiode, High Reliability Silicon PIN Photodiode
diossido di silicio pin S5971
Risposta ad alta velocità (100 MHz)
L'S5971 è un fotodiodo al silicio PIN ad alta velocità progettato per il rilevamento della luce visibile al vicino infrarosso.con una lunghezza massima di 20 mm o più ma non superiore a 30 mm,.
Caratteristiche- Risposta ad alt... Visualizza di più
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