Semiconduttore ad alta potenza
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eccellente porta di carica N canale super giunzione MOSFET 4A650V LCS65R900 semiconduttore ad alta potenza
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Marca: Lingxun
Evidenziare:LCS65R900 Super Junction MOSFET, 4A650V Super Junction MOSFET
eccellente porta di carica N canale super giunzione MOSFET 4A650V LCS65R900 semiconduttore ad alta potenza
Id:4A
Vdss:650V
Rdson-type ((@Vgs=10V): 840mΩ
Caratteristiche:
• Progettazione di super giunzioni ad alta densità
• eccellente carica del cancello x prodotto RDS ((ON))
• Ultra-basso live... Visualizza di più
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MOSFET di potenza con resistenza alle alte temperature, bassa perdita e bassa capacità di giunzione
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Low Leakage Power MOSFET, High Temperature Resistance Power MOSFET, Low Junction Capacitance Power MOSFET
Descrizione del prodotto:
L'elevata efficienza è un attributo cruciale per i sistemi elettronici ad alta potenza, e il nostro prodotto è progettato per fornirlo.che si traduce in una riduzione dei costi energeticiL'elevata efficienza del prodotto lo rende una scelta ideale per i veicoli elettrici ... Visualizza di più
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Basse perdite basse capacità di giunzione alta temperatura resistenza tensione canale N semiconduttore di potenza
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Low Junction Capacitance Power Semiconductor, High Temperature Resistance Power Semiconductor, Low Leakage Power Semiconductor
Descrizione del prodotto:
I nostri semiconduttori ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro alta luminosità, capacità di commutazione rapida e robusta gestione termica.rendendoli ideali per l'uso in ambienti esigenti che richiedono resistenza alle alte temperature.Con elevata efficienza e pr... Visualizza di più
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IGBT a tensione di bassa capacità di giunzione per temperature a bassa perdita
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Temperature Voltage IGBT, Low Leakage Voltage IGBT, Low Junction Capacitance Voltage IGBT
Descrizione del prodotto:Il semiconduttore ad alta potenza è particolarmente utile nelle applicazioni di carica di pile per veicoli elettrici, dove è richiesta una potenza IGBT ad alta tensione per un trasferimento efficiente di energia.Con la sua elevata efficienza, il semiconduttore ad alta potenz... Visualizza di più
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Potenza di bassa capacità di giunzione N canale semiconduttore
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Low Junction Capacitance Semiconductor
Descrizione del prodotto:
Uno dei vantaggi più significativi dei semiconduttori di potenza ad alta tensione è la loro capacità di gestire in modo efficiente alte tensioni e correnti.utensili elettrici, purificatori d'aria e altre applicazioni che richiedono dispositivi discreti ad alta tensione.Qu... Visualizza di più
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MOSFET ad alta resistenza alle alte temperature, a bassa perdita e a bassa capacità di giunzione di tipo N per un'efficienza energetica avanzata
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Marca: Lingxun
Evidenziare:High Temperature Resistance MOSFETs, Advanced Energy Efficient MOSFETs, Low Leakage MOSFETs
Descrizione del prodotto:
Una delle caratteristiche chiave dei semiconduttori ad alta tensione è la loro capacità di gestire in modo efficiente alte tensioni e correnti.Ciò li rende componenti essenziali nei sistemi di generazione e distribuzione di energia, dove contribuiscono a migliorare l'effi... Visualizza di più
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Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N
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Marca: Lingxun
Evidenziare:High Power Semiconductor N Channel, High Power N Channel, N Channel High Power Semiconductor
Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N
Caratteristiche
• Basso costo del cancello
• Basso RDS (on) per area di chip (low FOM)
• Perdite di connessione e di conduzione molto basse
• Estrema robustezza di commutazione
Applicazioni
• Invertitori solari
• TV LCD/LED/P... Visualizza di più
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11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET ad alta potenza per caricabatterie di commutazione
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Marca: Lingxun
Evidenziare:TO-252 MOSFET ad alta potenza, MOSFET di alta potenza per caricabatterie di commutazione, 650V MOSFET ad alta potenza
11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET ad alta potenza per caricabatterie di commutazione
MOSFET a super giunzione a canale N
Numero della parte: LC65R380D
Confezione:TO-252
Caratteristiche principali
Io...D11A
V.DSS:650 V
VGS di tipo RDSON = 10V:340mΩ
Caratteristiche
• adottare tecnologie a... Visualizza di più
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TO-220F Transistor a effetto campo di ossido metallico semiconduttore 15A 600V 274mΩ
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido metallico, TO-220F Semiconduttore di ossido metallico, Transistor a effetto campo 15A
15A 600V 274mΩ TO-220F Transistori a effetto campo metallo-ossido-semiconduttore
MOSFET a super giunzione a canale N
Numero della parte: LC60R280F
Confezione:TO-220F
Caratteristiche principali
Io...D15A
V.DSS:600 V
VGS di tipo RDSON = 10V:274mΩ
Caratteristiche
• Basso costo del canc... Visualizza di più
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Semiconduttore ad alta tensione di tipo N ad alta potenza a bassa perdita
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Semiconduttore ad alta potenza di tipo N, Semiconduttore ad alta potenza a bassa perdita, Semiconduttore ad alta tensione di tipo N
Descrizione del prodotto:
Resistenza alla temperatura, tensione, bassa congiunzione, capacità, bassa perdita, N. Potenza semiconduttore
Con una bassa perdita e una bassa capacità di giunzione, questo semiconduttore di tipo N è ottimizzato per applicazioni ad alta tensione.La sua capacità di sopport... Visualizza di più
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Semiconduttore ad alta potenza a commutazione bassa 15A 650V 238mΩ per convertitori CC-DC
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Semiconduttore ad alta potenza a bassa commutazione, Semiconduttore ad alta potenza 15A, Semiconduttore ad alta potenza 650V
15A 650V 238mΩ Semiconduttore ad alta potenza a bassa commutazione per convertitori CC-DC
MOSFET a super giunzione a canale N
Numero della parte: LC65R280D
Confezione:TO-252
Caratteristiche principali
Io...D15A
V.DSS:650 V
VGS di tipo RDSON = 10V:238mΩ
Caratteristiche
• Basso costo... Visualizza di più
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19A 600V 160mΩ Semiconduttore ad alta potenza per alimentatori industriali
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Marca: Lingxun
Evidenziare:600V semiconduttore ad alta potenza, 19A Semiconduttore ad alta potenza, 160mΩ Semiconduttore ad alta potenza
19A 600V 160mΩ Semiconduttore ad alta potenza a commutazione ridotta per alimentatori industriali
MOSFET a super giunzione a canale N
Numero della parte: LC60R190D
Confezione:TO-220F
Caratteristiche principali
Io...D19A
V.DSS:600 V
VGS di tipo RDSON = 10V:160mΩ
Caratteristiche
• R... Visualizza di più
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20A 650V 150mΩ MOS di raffreddamento per alimentatori in modalità commutata
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Marca: Lingxun
Evidenziare:20A MOS fresco, Fornitori di alimentazione commutati MOS fresco, 650V MOS ad alta tensione
20A 650V 150mΩ Stabilità e uniformità MOS di raffreddamento per alimentatori in modalità commutata
MOSFET a super giunzione a canale N
Numero della parte: LC65R190F
Confezione:TO-220F
Caratteristiche principali
Io...D:20A
V.DSS:650 V
VGS tipo RDSON = 10V:150mΩ
Caratteristiche
• R... Visualizza di più
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TO-252 Superficie montata semiconduttore ad alta potenza 5A 500V 1.33Ω Per asciugatrice di capelli
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Superficie montata semiconduttore ad alta potenza, TO-252 Semiconduttore ad alta potenza, 500V semiconduttore ad alta potenza
5A 500V 1.33Ω TO-252 Superficie montata Semiconduttore ad alta potenza per asciugacapelli
MOSFET di potenza in modalità di potenziamento N-Channel
Numero della parte: CS5N50A5
Confezione:TO-252
Caratteristiche principali
Io...D5A
V.DSS:500 V
Tipo RDSON VGS=10V: 1,33Ω
Caratteristiche
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MOSFET ad alta potenza a bassa perdita N-canale TO-220F TO-263C TO-247AC
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Marca: Lingxun
Evidenziare:N canale MOS ad alta potenza, MOSFET ad alta potenza TO-247AC, TO-263C MOSFET ad alta potenza
Descrizione del prodotto:
MOSFET di potenza a bassa tensione a perdita
Il semiconduttore ad alta potenza di tipo N è un tipo di semiconduttore che presenta una bassa perdita e resistenza ad alte temperature.La sua capacità di resistere alle alte temperature lo rende adatto per l'uso in ambienti dif... Visualizza di più
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IGBT ad alta potenza per applicazioni industriali
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Marca: Lingxun
Evidenziare:N IGBT ad alta potenza, IGBT industriali ad alta potenza, IGBT a canale N industriale
Descrizione del prodotto:
IGBT di potenza a bassa tensione a perdita per applicazioni industriali
IGBT ad alta tensione, motore di raffreddamento ad alta tensione e dispositivi discreti ad alta tensione sono alcuni degli attributi chiave di questo prodotto.con capacità di commutazione rapida e robu... Visualizza di più
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Semiconduttori ad alta potenza a canale N con bassa capacità di giunzione a bassa perdita
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Marca: Lingxun
Evidenziare:N canale semiconduttori ad alta potenza, Semiconduttori ad alta potenza a bassa perdita, Semiconduttori di potenza a bassa capacità di giunzione
Descrizione del prodotto:N canale tensione bassa perdita bassa capacità di giunzione alta temperatura resistenza di potenza semiconduttoreIl nostro prodotto High Power Semiconductor è di tipo N, noto per la sua robustezza e durabilità.può contribuire a ridurre le perdite di energia e migliorare l'ef... Visualizza di più
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Semiconduttore a bassa tensione a bassa perdita per carica di pile
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Marca: Lingxun
Evidenziare:Cool Mos Semiconductor, Mos fresco a bassa perdita, Piattaforma di carica Cool Mos
Descrizione del prodotto:
Basso voltaggio, perdita di corrente, raffreddamento Mos, semiconduttore per applicazioni di alimentazione
Questo particolare prodotto è un semiconduttore di tipo N con bassa capacità di giunzione, che lo rende ideale per applicazioni ad alta tensione.La sua elevata effici... Visualizza di più
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Alta potenza bassa perdita N canale IGBT resistente alle alte temperature
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Evidenziare:IGBT a basso livello di perdita N canale, IGBT a canale N resistente alle alte temperature, Tipo N IGBT ad alta potenza
Descrizione del prodotto:
Potenza alta temperatura resistente a basse perdite N canale IGBT
I nostri semiconduttori ad alta tensione sono in grado di gestire in modo efficiente alte tensioni e correnti, rendendoli ideali per vari settori come la generazione di energia, la distribuzione, il trasport... Visualizza di più
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TO-247 N canale semiconduttore ad alta potenza per carica di pile
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Evidenziare:TO-247 Semiconduttore ad alta potenza, Semiconduttore ad alta potenza, N canale di potenza semiconduttore
Descrizione del prodotto:Tipo N Resistenza ad alte temperature, bassa perdita, bassa capacità di giunzione, semiconduttore di potenzaProgettato con una bassa capacità di giunzione, questo semiconduttore è ideale per applicazioni ad alta frequenza che richiedono velocità di commutazione rapide.miglio... Visualizza di più
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