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China n channel igbt

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Cina TOSHIBA ha isolato l'alto potere bipolare di Manica IGBT del silicio N di Manica IGBT del silicio N del transistor del portone che commuta 30J127 in vendita

TOSHIBA ha isolato l'alto potere bipolare di Manica IGBT del silicio N di Manica IGBT del silicio N del transistor del portone che commuta 30J127

transistor dello smd del npn multi transistor dell'emettitore transistor di potenza del silicio

Prezzo: Negotiation

MOQ: 20pcs

Tempo di consegna: 1 Day

Marca: TOSHIBA

Anterwell Technology Ltd.
CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Anno di fondazione:2004 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Driver SCALETM-2 IGBT di Manica IGBT del DUA e transistor del centro IGBT del driver del MOSFET in vendita

Driver SCALETM-2 IGBT di Manica IGBT del DUA e transistor del centro IGBT del driver del MOSFET

circuito del driver del modulo del igbt Moduli della gestione di potere circuito del driver del portone del igbt

Prezzo: Negotiation

MOQ: 24PCS

Tempo di consegna: 1WEEK

Marca: Power Integrations

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Anno di fondazione:1998 Manufacturer
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Cina Transistor IGBT bipolare, transistor di IRG4IBC30S 1.7V di Manica IGBT di TO-220 N in vendita

Transistor IGBT bipolare, transistor di IRG4IBC30S 1.7V di Manica IGBT di TO-220 N

Modulo di commutazione del transistor di IGBT Transistor bipolare isolato multiuso del portone Modulo del transistor del silicio IGBT

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: Infineon

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
ISO14001,ISO13485 Anno di fondazione:2008 Manufacturer
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Cina Automotive IGBT Modules FS150R12KT4B11 1.2KV 150A N-Channel IGBT Silicon Modules in vendita

Automotive IGBT Modules FS150R12KT4B11 1.2KV 150A N-Channel IGBT Silicon Modules

Moduli automobilistici 400A di IGBT Modulo di potere di FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt Modulo 1200V della polvere di IGBT

Prezzo: Contact for Sample

MOQ: 10

Tempo di consegna: 3-5 work days

Marca: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Distributore commerciale/grossista
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Cina Alta potenza bassa perdita N canale IGBT resistente alle alte temperature in vendita

Alta potenza bassa perdita N canale IGBT resistente alle alte temperature

Semiconduttore ad alta tensione MOSFET di alto potere IGBT ad alta potenza

Prezzo: Confirm price based on part number

MOQ: Confirm quantity based on part number

Tempo di consegna: comfirm

Marca: Lingxun

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Anno di fondazione:2012 Produttore/venditore
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Cina Chip STGP7NC60HD GP7NC60HD TO220 di IC del circuito integrato di Manica IGBT di N con il diodo ultraveloce in vendita

Chip STGP7NC60HD GP7NC60HD TO220 di IC del circuito integrato di Manica IGBT di N con il diodo ultraveloce

analog to digital converter n channel mosfet integrated circuit chip

Prezzo: negotiate

MOQ: Smallest packaging/contact us

Tempo di consegna: 2-3 working days

Marca: STMicroelectronics

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
ISO9001,ISO14001 Anno di fondazione:1995 Distributore commerciale/grossista
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Cina MAX5952CUAX+ IC POE CNTRL 4 CHANNEL Igbt driver module in vendita

MAX5952CUAX+ IC POE CNTRL 4 CHANNEL Igbt driver module

Circuiti integrati ics TPS23756PWPR TPS23841PAPG4

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd
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Cina 1500V 3A IGBT Discreto N Canale Sic Modulo IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 in vendita

1500V 3A IGBT Discreto N Canale Sic Modulo IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Modulo del transistor di IGBT Infineon Discrete IGBT Modulo Sic IGBT

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
CERTIFICATE OF QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFI CATION Anno di fondazione:2021 Produttore/esportatore/venditore
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Cina N-Manica di serie dei circuiti integrati CI STGP10NB60S di STGP10NB60S 600 V 10 un PowerMESH IGBT - TO-220 in vendita

N-Manica di serie dei circuiti integrati CI STGP10NB60S di STGP10NB60S 600 V 10 un PowerMESH IGBT - TO-220

Ingresso/uscita dei circuiti integrati CI FPGA 300 Unità FPGA ARTIX7 del circuito integrato Circuito integrato IC di XC7A50T-1CSG324I

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: 1-2 work days

HENKOSINO TECHNOLOGY CO.,LTD
Anno di fondazione:2013 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina macchina di ricottura di induzione di 35Kw IGBT, registratore di temperatura di Manica 6 in vendita

macchina di ricottura di induzione di 35Kw IGBT, registratore di temperatura di Manica 6

riscaldamento di induzione a bassa frequenza Apparecchio di riscaldamento a induzione riscaldamento di induzione industriale

Prezzo: 35000US $ FOB

MOQ: 1 piece

Tempo di consegna: A week after confirmed payment

Marca: canroon

Shenzhen Canroon Electrical Appliances Co., Ltd.
CE,CE Anno di fondazione:2010 Produttore
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Cina Manica ultraveloce del transistor N di IGBT, transistor bipolare isolato del portone con costruito in diodo in vendita

Manica ultraveloce del transistor N di IGBT, transistor bipolare isolato del portone con costruito in diodo

transistor bipolare isolato del portone diodo di commutazione ad alta velocità fototransistor del silicio del npn

Prezzo: Negotiate

MOQ: 10pcs

Tempo di consegna: 1-3Days

Marca: ON/Fairchild

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Certificate of ATFU Brand,Business License Anno di fondazione:2012 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Tipo di Manica del modulo di potere di Toshiba Igbt dei controlli motori N MG25Q6ES51 in vendita

Tipo di Manica del modulo di potere di Toshiba Igbt dei controlli motori N MG25Q6ES51

modulo di potenza intelligente igbt ad alta frequenza moduli del igbt di Fuji

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1pcs

Tempo di consegna: 0-2 days

Marca: Toshiba

Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.
Anno di fondazione:2014 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Semiconduttori discreti a canale N GT50N322A 50N322 IGBT Montaggio a foro passante in vendita

Semiconduttori discreti a canale N GT50N322A 50N322 IGBT Montaggio a foro passante

MOSFET di potere di Infineon HEXFET Manica 55V 30A del MOSFET N MOSFET di potere di 55V 30A HEXFET

Prezzo: Negotiated

MOQ: 10

Tempo di consegna: 2-15days

Marca: Toshiba America Electronic Components

Angel Technology Electronics Co
Anno di fondazione:2006 Produttore
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