Wafer del fosfuro di indio

2 - Wafer di cristallo di Gap del substrato del fosfuro a 6 pollici del gallio spessore di 2mm - di 0,1

Materiale eccellente a semiconduttore dei piatti di GE di indio del wafer ottico del fosfuro

Alto wafer di superficie rifrangente del germanio di DSP GE

Wafer ottico del Inp di GE, wafer del fosfuro di indio del dispositivo a semiconduttore

Cubo Crystal Mgo Substrates, cristallo di crescita della Francia dell'arco dell'ossido di magnesio

Ge Lens Semiconductor Substrates INP Indium Gallium Phosphide Wafer

Substrati a semiconduttore dei wafer del Inp dei monocristalli del germanio

Semi che isolano il tipo a 2 pollici wafer fittizio di 50mm N del fosfuro di indio del InP

Colore del nero del diametro del wafer 100mm del fosfuro di indio del InP del diodo laser

Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD

Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD

3,58 substrato del cristallo dell'ossido di magnesio del wafer del substrato/MgO del MgO di densità

Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD

N / La P scrive il wafer a macchina del germanio, diametro 0,5 ~ 150mm dei piatti dell'ottica del germanio

Il wafer del fosfuro di indio dei monocristalli del germanio ha personalizzato la lente ottica 4/a 6 pollici di GE

Sottostrati di semiconduttori per wafer di germanio <111> Concentratore fotovoltaico CPV

Sottostrato di germanio GE Lenti ottiche a finestre piatte Applicazioni di imaging termico e spettroscopia a infrarossi Alta durezza

Ossido di magnesio Purezza 95% MgO Film Substrato 5x5 10x10 20x20 Spessore 0,5 mm 1,0 mm Orientazione <001> <110> <111>

InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer per sensori intelligenti

Wafer DFB N-InP substrato epiwafer strato attivo InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pollici per sensore di gas