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China igbt transistor module

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Cina Moduli IGBT per autoveicoli FS50R12W2T7P Moduli IGBT 1200V Moduli transistoristici IGBT in vendita

Moduli IGBT per autoveicoli FS50R12W2T7P Moduli IGBT 1200V Moduli transistoristici IGBT

Moduli automobilistici 400A di IGBT Modulo di potere di FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt Modulo 1200V della polvere di IGBT

Prezzo: Contact for Sample

MOQ: 10

Tempo di consegna: 3-5 work days

Marca: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Distributore commerciale/grossista
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Cina Modulo industriale dei transistor del modulo FS150R12KE3 IGBT di alto potere IGBT di Eupec in vendita

Modulo industriale dei transistor del modulo FS150R12KE3 IGBT di alto potere IGBT di Eupec

modulo di potenza intelligente igbt ad alta frequenza moduli del igbt di Fuji

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1pcs

Tempo di consegna: 0-2 days

Marca: Eupec

Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.
Anno di fondazione:2014 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Larghezza stabile 4.9mm di alto potere del modulo BUP314D del transistor di Infineon IGBT in vendita

Larghezza stabile 4.9mm di alto potere del modulo BUP314D del transistor di Infineon IGBT

Modulo di commutazione del transistor di IGBT Transistor bipolare isolato multiuso del portone Modulo del transistor del silicio IGBT

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: Infineon

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
ISO14001,ISO13485 Anno di fondazione:2008 Manufacturer
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Cina SIEMENS - MODULO FZ1200R16KF4 1200 di 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR un 1600V in vendita

SIEMENS - MODULO FZ1200R16KF4 1200 di 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR un 1600V

modulo di ridondanza del diodo modulo di interfaccia analogica modulo di alimentazione del plc

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: SIEMENS

Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD
Anno di fondazione:2010 Importer
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Cina MODULO DI SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR in vendita

MODULO DI SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR

SIEMENS PLC SIMATIC Gruppo di continuità PLC SIMATIC SCHEDA INGRESSO ANALOGICO SIEMENS

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1pc

Tempo di consegna: 2-3 days

Marca: SIEMENS

Wuhan Sean Automation Equipment Co.,Ltd
Anno di fondazione:2016 Distributore/Grossista
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Cina Basse perdite di commutazione Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM in vendita

Basse perdite di commutazione Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM

Modulo del transistor di IGBT Infineon Discrete IGBT Modulo Sic IGBT

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
CERTIFICATE OF QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFI CATION Anno di fondazione:2021 Produttore/esportatore/venditore
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Cina Il modulo di potere di 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA ha isolato il transistor bipolare del portone in vendita

Il modulo di potere di 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA ha isolato il transistor bipolare del portone

transistor bipolare isolato del portone igbt ad alta tensione igbt a corrente forte

Prezzo: negotiable

MOQ: 1 Pcs

Tempo di consegna: 2-3 working days

Marca: TOSHIBA

G-Resource Electronics Co.,Ltd
iso9001,iso14001 Anno di fondazione:2009 Produttore
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Cina Driver SCALETM-2 IGBT di Manica IGBT del DUA e transistor del centro IGBT del driver del MOSFET in vendita

Driver SCALETM-2 IGBT di Manica IGBT del DUA e transistor del centro IGBT del driver del MOSFET

circuito del driver del modulo del igbt Moduli della gestione di potere circuito del driver del portone del igbt

Prezzo: Negotiation

MOQ: 24PCS

Tempo di consegna: 1WEEK

Marca: Power Integrations

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Anno di fondazione:1998 Manufacturer
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Cina Manica ultraveloce del transistor N di IGBT, transistor bipolare isolato del portone con costruito in diodo in vendita

Manica ultraveloce del transistor N di IGBT, transistor bipolare isolato del portone con costruito in diodo

transistor bipolare isolato del portone diodo di commutazione ad alta velocità fototransistor del silicio del npn

Prezzo: Negotiate

MOQ: 10pcs

Tempo di consegna: 1-3Days

Marca: ON/Fairchild

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Certificate of ATFU Brand,Business License Anno di fondazione:2012 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina BSM35GP120 BSM35GP Frequenza di controllo 7-Pack IGBT Power Module Trans IGBT Module in vendita

BSM35GP120 BSM35GP Frequenza di controllo 7-Pack IGBT Power Module Trans IGBT Module

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6 32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller St ICS del microcontroller pungente 32

Prezzo: $10.00 - $20.10/pieces

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: Original brand

ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Authority certificate,ISO Anno di fondazione:2015 Manufacturer
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Cina Transistor di Manica IGBT del silicio N del transistor del Mosfet di potere di RJH60F7ADPK in vendita

Transistor di Manica IGBT del silicio N del transistor del Mosfet di potere di RJH60F7ADPK

transistor di potenza del silicio multi transistor dell'emettitore mosfet CI di potere

Prezzo: Negotiate

MOQ: 20pcs

Tempo di consegna: 1 day

Marca: Anterwell

Anterwell Technology Ltd.
CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Anno di fondazione:2004 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Forno di fusione IGBT transistor Shell d'acciaio Alta sicurezza Tempo di fusione breve in vendita

Forno di fusione IGBT transistor Shell d'acciaio Alta sicurezza Tempo di fusione breve

Forno a induzione di rame Forno a media frequenza Forno a conchiglia di acciaio

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: Huarui

Shandong Huarui Electric Furnace Co., Ltd.
GB/T19001-2016/ISO9001:2015,Patent Anno di fondazione:2011 Produttore
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Cina Il modulo di potere di Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V si raddoppia IGBT con la fossa veloce/Fieldstop in vendita

Il modulo di potere di Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V si raddoppia IGBT con la fossa veloce/Fieldstop

modulo del igbt di alto potere modulo del igbt del eupec igbt automobilistico

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1 set

Tempo di consegna: 25 days after signing the contract

Marca: Infineon

Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
Anno di fondazione:2000 Esportatore
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Cina Transistor multiuso IGBT ad alta potenza per OBC in vendita

Transistor multiuso IGBT ad alta potenza per OBC

IGBT industriali ad alta potenza IGBT ad alta frequenza stabile Pile di ricarica IGBT ultra veloce

Prezzo: Confirm price based on product

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: 2-30 days (Depends on Total Quantity)

Marca: REASUNOS

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
REACH of Package-1,ISO9001 Anno di fondazione:2007 Manufacturer
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Cina Invertitore di pile di ricarica Transistor IGBT multiuso per OBC in vendita

Invertitore di pile di ricarica Transistor IGBT multiuso per OBC

Invertitore solare Igbt Invertitore di potenza IGBT Semiconduttore di IGBT

Prezzo: According to your order requirement

MOQ: According to your order requirement

Tempo di consegna: According to your order requirement

Marca: Lingxun

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Anno di fondazione:2012 Produttore/venditore
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Cina TO247 Package 800V 4A Bidirectional Thyristor for Stable IGBT Transistor Performance in vendita

TO247 Package 800V 4A Bidirectional Thyristor for Stable IGBT Transistor Performance

Componenti elettronici Amplificatori operativi Circuiti integrati amplificatori operativi Amplificatori operativi a circuito integrato

Prezzo: $0.11/pieces 1-99 pieces

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: other

Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.
Anno di fondazione:2017 Distributore commerciale/Wholesaler
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Cina Invertitore di L-Serie IGBT di PM150RLB060 Intellimod™ + modulo di potere trifasi di MITSUBISHI IGBT di volt Amperes/600 del freno 150 in vendita

Invertitore di L-Serie IGBT di PM150RLB060 Intellimod™ + modulo di potere trifasi di MITSUBISHI IGBT di volt Amperes/600 del freno 150

12v all'invertitore 220v 12v all'invertitore 110v un invertitore da 12 volt

Prezzo: Pls Contact sales team

MOQ: 1 Pcs

Tempo di consegna: 1 day

Marca: MITSUBISHI

CHINA UPS Electronics Co., Ltd.
ISO,ISO Anno di fondazione:2006 Produttore
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Cina IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semiconduttore di potenza in vendita

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semiconduttore di potenza

MOSFET di potere di Infineon HEXFET Manica 55V 30A del MOSFET N MOSFET di potere di 55V 30A HEXFET

Prezzo: Negotiated

MOQ: 10pieces

Tempo di consegna: 2-15days

Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR

Angel Technology Electronics Co
Anno di fondazione:2006 Produttore
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