Sistema di ricottura RTP-SA-8
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3 month
Marca: Ganova
Evidenziare:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Visualizza di più
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sistema di tempera termico rapido di 150mm con tre gas trattati degli insiemi
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 8-10week days
Marca: GaNova
Evidenziare:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... Visualizza di più
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Grado elettronico singolo Crystal Diamond, N Content<100ppb, conducibilità termica di JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm di XRD<0.015º
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Electronic Grade Single Crystal Diamond, 10*10mm2*0.3mm Single Crystal Diamond
diamante elettronico di monocristallo del grado di 10*10mm2*0.3mm, tenore di N<100ppb>
PanoramicaI wafer monocristallini del diamante permettono agli avanzamenti critici in entrambi la tecnologia di potere di rf usata per le comunicazioni 5G ed i satelliti; così come nell'elettronica di p... Visualizza di più
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Grado elettronico singolo Crystal Diamond, N Content<100ppb, conducibilità termica di JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm di XRD<0.015º
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:10*10mm2*0.5mm Single Crystal Diamond
Diamante elettronico di monocristallo del grado di JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm, tenore di N<100ppb>
Panoramica
Il diamante di CVD lungamente è stato riconosciuto come l'ultimo materiale in un'ampia varietà di applicazioni dovuto le sue qualità estreme.
Per CVD del diamante l'idrog... Visualizza di più
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GaN drogato Mg tipo P da 4 pollici su wafer in zaffiro SSP resistività ~ 10Ω cm LED laser PIN wafer epitassiale
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
GaN drogato con Mg di tipo P da 4 pollici su wafer di zaffiro SSP resistività ~ 10Ω cm LED, laser, wafer epitassiale PIN
Le proprietà elettriche del GaN drogato con Mg di tipo p vengono studiate attraverso misurazioni dell'effetto Hall a temperatura variabile.I campioni con una gamma di concentr... Visualizza di più
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JDCD05-001-005 Diamante a cristallo singolo di grado elettronico 5 * 5mm2 * 0,5 mm, contenuto N
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:XRD<0.015º Single Crystal Diamond
JDCD05-001-005 Diamante a cristallo singolo di grado elettronico 5 * 5mm2 * 0,5 mm, contenuto N <100 ppb, XRD <0,015º Conducibilità termica 1000-2200 per dissipatore di calore
Panoramica
L'elevata conduttività termica del diamante lo ha reso utile nelle applicazioni di gestione termica.La... Visualizza di più
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Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Visualizza di più
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625um allo zaffiro piano blu a 4 pollici di 675um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Visualizza di più
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4 pollici 4H-SiC Substrato P-livello SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistenza≥1E5Ω·cm
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Substrato 4H-SiC di livello P, Substrato a microonde 4H-SiC, 4 pollici di substrato 4H-SiC
SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω di livello P del substrato di JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm per i dispositivi di a microonde e di potere
Panoramica
Sic è usato per la lavorazione dei dispositivi molto ad alta tensione ed ad alta potenza quali i diodi, i transistor di potenza e... Visualizza di più
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C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: Negotiable
Evidenziare:6inch Sapphire Substrate Wafer
C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch
Gli zaffiri sono in secondo luogo soltanto ai diamanti nella durevolezzaIl diamante è l'elemento naturale più durevole su terra e sulla truppa come i 10 su 10 sulla scala di Mohs di durezza minerale. Gli zaffiri sono inoltre molto durevol... Visualizza di più
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JDCD05-001-007 Substrati diamantati CVD
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:CVD Diamond Substrates, CVD Diamond Substrates 007
JDCD05-001-007 CVD Diamond Substrates
Panoramica
Il diamante è un materiale unico che presenta spesso le proprietà estreme confrontate ad altri materiali. Scoperto circa 30 anni fa, l'uso di idrogeno nell'applicazione a spruzzo chimica plasma-migliorata (CVD) ha permesso alla crescita ed al ri... Visualizza di più
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2 pollici di LED verde GaN su wafer di silicio Dimensione 520±10nm
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:2 pollici di GaN su wafer di silicio, LED verde GaN sul wafer di silicio, 520nm GaN su wafer di silicio
GaN LED verde da 2 pollici su wafer di silicio
Panoramica
Il nitruro di gallio (GaN) sta creando un cambiamento innovativo nel mondo dell'elettronica di potenza.Per decenni, i MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) basati su silicio sono stati parte integrante del mondo mode... Visualizza di più
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JDCD06-001-004 Wafer di silicio da 5 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Circuiti integrati Wafer di silicio, Discreti Dispositivi Wafer di silicio, Wafer di silicio da 5 pollici
Dispositivi MEMS wafer di silicio da 5 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti
Panoramica
Sebbene i cristalli di silicio possano sembrare metallici, non sono interamente metalli.A causa degli "elettroni liberi" che si muovono facilmente tra gli atomi, i metalli... Visualizza di più
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JDCD06-001-005 Wafer di silicio da 6 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Circuiti integrati Wafer di silicio, Discreti Dispositivi Wafer di silicio, lastra di silicio
dispositivi a 6 pollici della lastra di silicio MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti
Panoramica
Il silicio tipicamente è trovato composto con altri elementi. Gli elementi del silicio possono legare gli atomi strettamente e nelle disposizioni complesse. L'ab... Visualizza di più
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JDCD06-001-006 Wafer di silicio da 8 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Circuiti integrati Wafer di silicio, Dispositivi MEMS Wafer di silicio, Discreti Dispositivi Wafer di silicio
Dispositivi MEMS wafer di silicio da 8 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti
Panoramica
In elettronica, i wafer di silicio (noti anche come substrati) sono sottili fette di silicio cristallino altamente puro (c-Si), utilizzate nella produzione di circuiti int... Visualizza di più
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JDCD06-001-007 Wafer di silicio da 12 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Circuiti integrati Wafer di silicio, Discreti Dispositivi Wafer di silicio, Wafer di silicio da 12 pollici
dispositivi a 12 pollici della lastra di silicio MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti
PanoramicaUna lastra di silicio è un materiale essenziale per i semiconduttori fabbricanti, che sono trovati in tutti i tipi di apparecchi elettronici che arricchiscono le ... Visualizza di più
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JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Substrato monocristallino Ga2O3 in posizione libera, Categoria di prodotto Substrato monocristallino Ga2O3, 10x10mm2 Ga2O3 Substrato monocristallino
10x10mm2(010) Substrato monocristallino Ga2O3 autoportante drogato con Sn Grado del prodotto lucidatura singola Spessore 0,6~0,8 mm FWHM＜350arcsec, Ra≤0,5nm Resistenza 1,53E+18Ω/cm-3 Dispositivi optoelettronici, strati isolanti di materiali semiconduttori e Filtri UV
Mentre i dispositivi a base ... Visualizza di più
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Wafer epitassiale SOI da 4 pollici JDCD07-001-001 per elaborazione MEMS
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:MEMS Elaborazione del wafer epitassiale SOI, Wafer epitaxial SOI da 4 pollici, Wafer epitaxiale SOI
Wafer epitassiale SOI da 4 pollici per elaborazione MEMS
Panoramica
Sebbene i cristalli di silicio possano sembrare metallici, non sono interamente metalli.A causa degli "elettroni liberi" che si muovono facilmente tra gli atomi, i metalli sono buoni conduttori di elettricità e l'elettricità è... Visualizza di più
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JDCD07-001-004 Wafer epitaxiale SOI da 7 pollici per la lavorazione MEMS
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Wafer epitaxial da 7 pollici, MEMS Elaborazione del wafer epitassiale SOI, Wafer epitaxiale SOI
Wafer epitassiale SOI da 7 pollici per elaborazione MEMS
PanoramicaUn wafer di silicio è un materiale essenziale per la produzione di semiconduttori, che si trovano in tutti i tipi di dispositivi elettronici che arricchiscono le nostre vite.Pochi di noi hanno la possibilità di incontrare un ver... Visualizza di più
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JDCD07-001-002 Wafer epitaxiale SOI da 5 pollici per la lavorazione MEMS
Prezzo: Negotiable
MOQ: 1
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Wafer epitaxial SOI da 5 pollici, Wafer epitaxiale SOI, MEMS Elaborazione del wafer epitassiale SOI
wafer epitassiale a 5 pollici di SOI per l'elaborazione di MEMS
Panoramica
Le lastre di silicio (wafer di si) sono fette sottili di silicio cristallizzato altamente puro. Le lastre di silicio fungono da substrato per i dispositivi microelettronici e sono particolarmente circuiti elettronici ... Visualizza di più
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