Cina transistors fets fabbriche

IMZ120R090M1H Prodotti discreti a semiconduttore Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET

IKW50N60H3 IC IKW50N60H3

Prezzo: Contact us !

MOQ: Contact us !

Tempo di consegna: The goods will be shipped within 3 days once received fund.

Marca: Infineon

ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED

ISO9001:2015,Whitehorse test lab Anno di fondazione:2012 Produttore

Contatta ora

Nuovi transistor a semiconduttore discreto IC originali - FET Single MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB SiHF840 IRF840PBF

UTC bipolare ICS del transistor ROHM Transistor del UTC ICS di ROHM bipolare UTC ICS SOT-89-3 DI ROHM

Prezzo: $8.24/pieces 10-99 pieces

MOQ: 10 pieces

Tempo di consegna: Negotiable

Marca: neutral

ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Authority certificate,ISO Anno di fondazione:2015 Manufacturer

Contatta ora

Rendimento elevato del FET 93.7W del transistor di alto potere rf di banda x di FLM0910-25F

integrated circuit ic chip npn power transistor n channel transistor

Prezzo: negotiable

MOQ: 1 piece

Tempo di consegna: 1-2 working days

Marca: Fuji Electric

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

ISO9001,ISO14001 Anno di fondazione:1995 Distributore commerciale/grossista

Contatta ora

Integrated Circuit Chip IMZA65R083M1H Transistors FETs MOSFETs TO-247-4

Chip 24-PQFN del circuito integrato Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER Chip integrati QFN24

Prezzo: Contact for Sample

MOQ: 10

Tempo di consegna: 5-8 work days

Marca: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Distributore commerciale/grossista

Contatta ora

Transistor superficiali obsoleti ON52 FET RF MOFSET D2KPAK bobine di NXP USA Inc.

MOSFET RF Transistor npn pre-biased Rf fatti

Prezzo: Negotiable

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: Negotiable

Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.

Anno di fondazione:2017 Distributore commerciale/Wholesaler

Contatta ora

60V 10.8A Diodi Transistori FETS DMT6009LSS-13 MOSFET singolo canale N

Diodo Zener di 1SMB5918B 5 1 V Semiconduttore discreto di SMB

Prezzo: Negotiated

MOQ: 10

Tempo di consegna: 2-15days

Marca: Diodes

Angel Technology Electronics Co

Anno di fondazione:2006 Produttore

Contatta ora

Cina Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf in vendita

Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf

transistor di alto potere rf transistor dell'amplificatore di potenza di rf transistor di potenza ad alta frequenza

Prezzo: Negotiable

MOQ: 1pcs

Tempo di consegna: 5-8 working days

Marca: VBE

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Computer software copyright registration certificate,Computer software copyright registration certificate Anno di fondazione:2010 Produttore

Contatta ora

FET del livello logico del FET TrenchMOS del MOS di Manica del transistor N di Pin di BUK9237-55A 3

transistor dello smd del npn multi transistor dell'emettitore transistor di potenza del silicio

Prezzo: Negotiate

MOQ: 20pcs

Tempo di consegna: 1 day

Marca: Anterwell

Anterwell Technology Ltd.

CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Anno di fondazione:2004 Distributore commerciale/Wholesaler

Contatta ora

FDV303N Transistor FET digitali N-Channel Onsemi RF

FDV303N FET digitale a canale n semi Transistor RF digitali

Prezzo: Email us for details

MOQ: 1

Tempo di consegna: 1day

Marca: Onsemi

Wisdtech Technology Co.,Limited

environmental management system,Occupational health and safety system Venditore

Contatta ora

Modo di potenziamento di Manica del transistor di alto potere del MOS dei FETs SOT-23 dei MOSFETs SI2301 2.5A 20V A1SHB P

transistor di alto potere transistor di potenza del mosfet transistor del canale di p

Prezzo: Negotiated

MOQ: 1000PCS

Tempo di consegna: 3-5 days

Marca: CANYI

Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.

Anno di fondazione:2000 Distributore/grossista

Contatta ora

Triodo transitorio di soppressione del tubo del MOS del transistor di potenza del CE del FET 700V CoolMOS

Diodo Schottky barriera diodo Schottky a corrente forte diodo di protezione delle TV

Prezzo: Negotiable

MOQ: 100 / Negotiable

Tempo di consegna: 7~10 Working days

Marca: Julun

JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)

Business license,UL Anno di fondazione:2009 Produttore

Contatta ora

Invertitore Alta tensione Fet, alimentazione N canale Mosfet Transistor

Mosfet di potenza ad alta tensione stabile Sic Mosfet ad alta tensione termo-isolatore Transistor industriali ad altissima tensione

Prezzo: Confirm price based on product

MOQ: Negotiable

Tempo di consegna: 2-30 days (Depends on Total Quantity)

Marca: REASUNOS

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

REACH of Package-1,ISO9001 Anno di fondazione:2007 Manufacturer

Contatta ora

China transistors fets

IMZ120R090M1H Prodotti discreti a semiconduttore Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET

Nuovi transistor a semiconduttore discreto IC originali - FET Single MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB SiHF840 IRF840PBF

Rendimento elevato del FET 93.7W del transistor di alto potere rf di banda x di FLM0910-25F

Integrated Circuit Chip IMZA65R083M1H Transistors FETs MOSFETs TO-247-4

Transistor superficiali obsoleti ON52 FET RF MOFSET D2KPAK bobine di NXP USA Inc.

60V 10.8A Diodi Transistori FETS DMT6009LSS-13 MOSFET singolo canale N

Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf

FET del livello logico del FET TrenchMOS del MOS di Manica del transistor N di Pin di BUK9237-55A 3

FDV303N Transistor FET digitali N-Channel Onsemi RF

Modo di potenziamento di Manica del transistor di alto potere del MOS dei FETs SOT-23 dei MOSFETs SI2301 2.5A 20V A1SHB P

Triodo transitorio di soppressione del tubo del MOS del transistor di potenza del CE del FET 700V CoolMOS

Invertitore Alta tensione Fet, alimentazione N canale Mosfet Transistor

Worry-Free Sourcing AssistanceIt's Free