Cristallo del carburo di silicio
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JDZJ01-001-006 SiC Seed Crystal S Grade 6" Φ153±0,5 mm
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Evidenziare:Cristallo di semi di SiC da 6 pollici, Cristallo di semi di SiC di grado S, φ153±0, 5 mm cristallo di semi di SiC
Sic grado 6" del cristallo di seme S grado φ153±0.5mm di S
Sic può resistere ad una pendenza di tensione (o al campo elettrico) oltre otto volte maggior di che il si o il GaAs senza subire la ripartizione di valanga. Questo campo elettrico di alta ripartizione permette alla lavorazione dei disp... Visualizza di più
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Sic cristallo 4" del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Evidenziare:4” SiC Ingot Crystal, D Grade SiC Ingot Crystal
Sic lingotto 4" di cristallo grado di P
Sic i dispositivi possono funzionare alle alte frequenze (rf e microonda) a causa di alta velocità saturata del flusso elettronico di sic.
Sic è un conduttore termico eccellente. Il calore scorrerà più prontamente da parte a parte sic che altri material... Visualizza di più
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JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
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Evidenziare:P grade SiC Ingot Crystal, 6” SiC Ingot Crystal
Cristallo lingotto SiC 6" Pgrade
Carburo di silicio, estremamente duro, composto cristallino prodotto sinteticamente di silicio e carbonio.La sua formula chimica è SiC.Dalla fine del XIX secolo il carburo di silicio è stato un materiale importante per carte abrasive, mole e utensili da taglio.
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Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S
Prezzo: Negotiable
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Evidenziare:S Grade SiC Seed Crystal, φ153±0.5mm SiC Seed Crystal, 6” SiC Seed Crystal
Sic grado 6" del cristallo di seme S grado φ153±0.5mm di S
Sic è un conduttore termico eccellente. Il calore scorrerà più prontamente da parte a parte sic che altri materiali a semiconduttore. Infatti, alla temperatura ambiente, sic ha un'più alta conducibilità termica che tutto il metallo. Que... Visualizza di più
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Cristallo di seme del carburo di silicio JDZJ01-001-007
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
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Evidenziare:Silicon Carbide Seed Crystal
Cristallo di seme del carburo di silicio JDZJ01-001-007
Gli apparecchi elettronici si sono formati in sic possono funzionare estremamente alle temperature elevate senza sofferenza a partire dagli effetti intrinsechi della conduzione perché di ampio bandgap di energia. Inoltre, questa proprietà ... Visualizza di più
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JDZJ01-001-008 Cristallo seme SiC da 4 e 6 pollici
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
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Evidenziare:6inch SiC Seed Crystal
JDZJ01-001-008 Cristallo seme SiC da 4 e 6 pollici
Le proprietà fisiche ed elettroniche del SiC lo rendono il principale materiale semiconduttore per dispositivi elettronici optoelettronici a lunghezza d'onda corta, resistenti alle alte temperature, alle radiazioni e ad alta potenza/alta frequen... Visualizza di più
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100.0mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade Politype 4H
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
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Evidenziare:Silicon Carbide Crystal P Grade, single crystal silicon carbide, Silicon Carbide Crystal 4H
100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric field enables the fabricati... Visualizza di più
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4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
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Evidenziare:P Grade Silicon Carbide Crystal, crystalline silicon carbide 0.028ohm.Cm, 4" Silicon Carbide Crystal
4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor materials. In fact, at room temperature, SiC has a higher thermal conductivity than any ... Visualizza di più
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4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
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Evidenziare:single crystal silicon carbide 4", N type crystalline silicon carbide, single crystal silicon carbide Si face
JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short wavelength optoelectronic, high temperature, radiation resistant, and high- power/hig... Visualizza di più
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100.0mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade 18.0mm
Prezzo: Negotiable
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Evidenziare:100.0mm Silicon Carbide Crystal, single crystal sic 4", Silicon Carbide Crystal 18.0mm
100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic conduction effects becauseof the wide energy bandgap. Also, this property allows ... Visualizza di più
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Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
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Evidenziare:0.015ohm.cm Silicon Carbide Crystal, N Type sic crystal, Silicon Carbide Crystal 32.5mm
0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve extremely low levels of impurities. It is used to measure the impurities within SiC C... Visualizza di più
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Primary Flat Lengh 32.5mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade 100.0mm
Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
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Evidenziare:32.5mm Silicon Carbide Crystal, SiC Seed Crystal 100.0mm, Silicon Carbide Crystal 4"
Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric... Visualizza di più
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