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Wafer Ga2O3

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Cina Sn Doping Ga2O3 Wafer Singolo substrato di cristallo 10x10mm2 in vendita

Sn Doping Ga2O3 Wafer Singolo substrato di cristallo 10x10mm2

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Sn Doping Ga2O3 Wafer, 0.8mm Gallium Oxide wafer, Ga2O3 Wafer 10x10mm2
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Among these different phases of Ga2O3, the orthorhombic β-gallia stru... Visualizza di più
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Cina Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate in vendita

Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Side Polished Ga2O3 Wafer, 0.6mm gallium nitride substrate, Ga2O3 Wafer UKAS
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Gallium Oxide (Ga2O3) is emerging as a viable candidate for certain c... Visualizza di più
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Cina 0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing in vendita

0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Ga2O3 Single Crystal Substrate, Gallium Oxide wafer 0.6mm, 0.8mm Single Crystal Substrate
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal subs... Visualizza di più
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Cina JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura in vendita

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters While silicon-based devices have been able to p... Visualizza di più
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Cina Wafer epitassiale a cristallo singolo Ga2O3 Ra 0,3 nm 2 pollici 4 pollici in vendita

Wafer epitassiale a cristallo singolo Ga2O3 Ra 0,3 nm 2 pollici 4 pollici

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Ga2O3 epitaxial wafer 2 Inch, Single Crystal Substrate 4 Inch, single crystal epitaxial wafer
Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filt... Visualizza di più
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Cina Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm in vendita

Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:side polished Ga2O3 Substrate, 0.8mm Gallium Oxide substrate, Ga2O3 Substrate Single Crystal
Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 2.00E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor m... Visualizza di più
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Cina FWHM<350arcsec Ga2O3 Wafer Single Crystal Substrate Thickness 0.6mm To 0.8mm in vendita

FWHM<350arcsec Ga2O3 Wafer Single Crystal Substrate Thickness 0.6mm To 0.8mm

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Ga2O3 Wafer 0.6mm, single crystal substrate 0.8mm, Ga2O3 Wafer 0.8mm
FWHM Visualizza di più
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Cina Substrato a cristallo singolo wafer drogato Ga2O3 Fe 10x10mm2 autoportante in vendita

Substrato a cristallo singolo wafer drogato Ga2O3 Fe 10x10mm2 autoportante

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Ga2O3 Fe Doped Wafer, Single crystal Ga2O3 substrate, Fe Doped Wafer 10x10mm2
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Ga2O3 has a long history and the phase equilibria of the Al2O3-Ga2O3-... Visualizza di più
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Cina Semiconductor Single Crystal Gallium Oxide Substrate UID Doping in vendita

Semiconductor Single Crystal Gallium Oxide Substrate UID Doping

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Single Crystal Gallium Oxide substrate, semiconductor wafer ISO, Gallium Oxide substrate UID Doping
Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Visualizza di più
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Cina JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing in vendita

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance Visualizza di più
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Cina JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Ga2O3 Ga2O3 autoportante monocristallino Grado del prodotto Singola lucidatura in vendita

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Ga2O3 Ga2O3 autoportante monocristallino Grado del prodotto Singola lucidatura

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Power density is greatly improved in gallium nitride devices compar... Visualizza di più
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Cina 10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante in vendita

10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:10x15mm2 Ga2O3 Wafer, UID Doped Ga2O3 Substrate, Ga2O3 Wafer Single Polishing
JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic ... Visualizza di più
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Cina wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm in vendita

wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:10x10mm Ga2O3 Wafer, 10x15mm single crystal wafer, Ga2O3 Wafer 10x15mm
10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters With increased energy efficiency, smaller req... Visualizza di più
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